IRF7317PBF

Транз. Пол. ММ 1N-1P-HEXFET logik SO8 Udss=+-20V; Id=6,6A; Id=-5,3A Pdmax=2,0W; Rds=0,029 Ohm
на замовлення 68 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 70.59 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF7317PBF IR
Description: MOSFET N/P-CH 20V 6.6A/5.3A 8SO, Packaging: Tube, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2W, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A, 5.3A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SO, Part Status: Discontinued at Digi-Key.
Інші пропозиції IRF7317PBF
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
IRF7317PBF Код товару: 150905
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|
|||
![]() |
IRF7317PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
IRF7317PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A, 5.3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Discontinued at Digi-Key |
товару немає в наявності |
|
![]() |
IRF7317PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |