Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF7317TRPBF
IRF7317TRPBF

IRF7317TRPBF Infineon Technologies

irf7317.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH Si 20V 6.6A/5.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+23.87 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF7317TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF7317TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 6.6 A, 6.6 A, 0.023 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.6A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRF7317TRPBF за ціною від 29.39 грн до 123.96 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF7317TRPBF IRF7317TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7317.pdf Trans MOSFET N/P-CH Si 20V 6.6A/5.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 8676 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
292+41.84 грн
304+40.17 грн
500+38.71 грн
1000+36.11 грн
2500+32.45 грн
5000+30.31 грн
Мінімальне замовлення: 292
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7317TRPBF IRF7317TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7317.pdf Trans MOSFET N/P-CH Si 20V 6.6A/5.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 35700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
603+50.64 грн
1000+46.70 грн
10000+41.64 грн
Мінімальне замовлення: 603
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7317TRPBF IRF7317TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0002485110-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7317TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 6.6 A, 6.6 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+69.37 грн
500+63.79 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7317TRPBF IRF7317TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7317.pdf Trans MOSFET N/P-CH Si 20V 6.6A/5.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
175+69.87 грн
221+55.23 грн
234+52.30 грн
500+41.88 грн
1000+35.44 грн
4000+30.12 грн
8000+30.05 грн
Мінімальне замовлення: 175
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7317TRPBF IRF7317TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0002485110-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7317TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 6.6 A, 6.6 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+80.47 грн
12+72.29 грн
100+69.37 грн
500+63.79 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7317TRPBF IRF7317TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF7317_DataSheet_v01_01_EN-3362844.pdf MOSFETs MOSFT DUAL N/PCh 20V 6.6A
на замовлення 768 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+87.68 грн
10+60.76 грн
100+41.89 грн
500+35.05 грн
1000+32.15 грн
2000+29.99 грн
4000+29.39 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7317TRPBF IRF7317TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7317pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f5b8de1b3d Description: MOSFET N/P-CH 20V 6.6A/5.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A, 5.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 1782 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+123.96 грн
10+75.58 грн
100+50.57 грн
500+37.39 грн
1000+34.15 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7317TRPBF Виробник : International Rectifier Corporation irf7317pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f5b8de1b3d SOIC-8
на замовлення 50 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7317TRPBF Виробник : Taiwan TY Semiconductor irf7317pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f5b8de1b3d SOIC-8
на замовлення 339 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7317TRPBF IRF7317TRPBF
Код товару: 41839
Додати до обраних Обраний товар

irf7317pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f5b8de1b3d Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7317TRPBF IRF7317TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7317.pdf Trans MOSFET N/P-CH Si 20V 6.6A/5.3A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7317TRPBF IRF7317TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2219E27805D24F1A303005056AB0C4F&compId=irf7317pbf.pdf?ci_sign=64d961be387dcb2a1a46361559a7321aeb6a99b6 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 6.6/-5.3A; 2W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 6.6/-5.3A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 29/58mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7317TRPBF IRF7317TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7317pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f5b8de1b3d Description: MOSFET N/P-CH 20V 6.6A/5.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A, 5.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Not For New Designs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7317TRPBF IRF7317TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2219E27805D24F1A303005056AB0C4F&compId=irf7317pbf.pdf?ci_sign=64d961be387dcb2a1a46361559a7321aeb6a99b6 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 6.6/-5.3A; 2W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 6.6/-5.3A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 29/58mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.