Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRF7317TRPBF
IRF7317TRPBF

IRF7317TRPBF

irf7317pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f5b8de1b3d
Код товару: 41839
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Примітка: N+P
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF7317TRPBF

  • MOSFET
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:Dual N/P Channel
  • Drain Source Voltage, Vds:20V
  • Continuous Drain Current, Id:6.6A
  • On Resistance, Rds(on):29mohm
  • Rds(on) Test Voltage, Vgs:4.5V
  • Package/Case:8-SOIC

Інші пропозиції IRF7317TRPBF за ціною від 10.33 грн до 156.87 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRF7317TRPBF IRF7317TRPBF TYS irf7317pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f5b8de1b3d description SOIC-8 Транзистори
на замовлення 80 шт:
термін постачання 4-5 дні (днів)
76+10.33 грн
Мінімальне замовлення: 76 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7317TRPBF IRF7317TRPBF Infineon Technologies irf7317.pdf description Trans MOSFET N/P-CH Si 20V 6.6A/5.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
109+130.41 грн
159+89.41 грн
227+62.55 грн
500+48.21 грн
1000+40.69 грн
2000+35.83 грн
Мінімальне замовлення: 109 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7317TRPBF IRF7317TRPBF Infineon Technologies irf7317.pdf description Trans MOSFET N/P-CH Si 20V 6.6A/5.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
91+156.87 грн
143+99.22 грн
200+84.39 грн
500+64.24 грн
1000+58.47 грн
4000+52.41 грн
8000+49.25 грн
Мінімальне замовлення: 91 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7317TRPBF IRF7317TRPBF INFINEON INFN-S-A0002485110-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF7317TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 6.6 A, 6.6 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7317TRPBF IRF7317TRPBF INFINEON INFN-S-A0002485110-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF7317TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 6.6 A, 6.6 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7317TRPBF description irf7317pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f5b8de1b3d
IRF7317TRPBF
Виробник: TYS
SOIC-8 Транзистори
на замовлення 80 шт:
термін постачання 4-5 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
76+10.33 грн
Мінімальне замовлення: 76 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7317TRPBF description irf7317.pdf
IRF7317TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH Si 20V 6.6A/5.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
109+130.41 грн
159+89.41 грн
227+62.55 грн
500+48.21 грн
1000+40.69 грн
2000+35.83 грн
Мінімальне замовлення: 109 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7317TRPBF description irf7317.pdf
IRF7317TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH Si 20V 6.6A/5.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
91+156.87 грн
143+99.22 грн
200+84.39 грн
500+64.24 грн
1000+58.47 грн
4000+52.41 грн
8000+49.25 грн
Мінімальне замовлення: 91 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7317TRPBF description INFN-S-A0002485110-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7317TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7317TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 6.6 A, 6.6 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7317TRPBF description INFN-S-A0002485110-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7317TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7317TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 6.6 A, 6.6 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.