Технічний опис IRF7317TRPBF
- MOSFET
- Transistor Type:MOSFET
- Transistor Polarity:Dual N/P Channel
- Drain Source Voltage, Vds:20V
- Continuous Drain Current, Id:6.6A
- On Resistance, Rds(on):29mohm
- Rds(on) Test Voltage, Vgs:4.5V
- Package/Case:8-SOIC
Інші пропозиції IRF7317TRPBF за ціною від 35.28 грн до 128.38 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF7317TRPBF | Виробник : INFINEON |
 Description: INFINEON - IRF7317TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 6.6 A, 6.6 A, 0.023 ohmtariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.6A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 570 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRF7317TRPBF | Виробник : TYS |
SOIC-8 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
на замовлення 5 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF7317TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7317TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 6.6 A, 6.6 A, 0.023 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.6A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 570 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRF7317TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N/P-CH Si 20V 6.6A/5.3A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 3448 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRF7317TRPBF | Виробник : China replica |
Trans MOSFET N/P-CH Si 20V 6.6A/5.3A SOIC-8 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
IRF7317TRPBF | Виробник : International Rectifier |
SOIC-8 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| IRF7317TRPBF | Виробник : JSMSEMI |
SOIC-8 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
 |
IRF7317TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N/P-CH 20V 6.6A/5.3A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A, 5.3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Not For New Designs |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
IRF7317TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N/P-CH 20V 6.6A/5.3A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A, 5.3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Not For New Designs |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
IRF7317TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT DUAL N/PCh 20V 6.6A |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
IRF7317TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 6.6/-5.3A; 2W; SO8 Type of transistor: N/P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20/-20V Drain current: 6.6/-5.3A Power dissipation: 2W Case: SO8 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 29/58mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |