Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF7317TRPBF
IRF7317TRPBF

IRF7317TRPBF Infineon Technologies

irf7317.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH Si 20V 6.6A/5.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+23.55 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF7317TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF7317TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 6.6 A, 6.6 A, 0.023 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.6A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRF7317TRPBF за ціною від 28.38 грн до 122.26 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF7317TRPBF IRF7317TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7317.pdf Trans MOSFET N/P-CH Si 20V 6.6A/5.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
250+48.69 грн
292+41.71 грн
309+39.52 грн
500+35.60 грн
1000+31.01 грн
4000+28.45 грн
8000+28.38 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7317TRPBF IRF7317TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7317.pdf Trans MOSFET N/P-CH Si 20V 6.6A/5.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 35700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
603+50.52 грн
1000+46.58 грн
10000+41.54 грн
Мінімальне замовлення: 603
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7317TRPBF IRF7317TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0002485110-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7317TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 6.6 A, 6.6 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+68.42 грн
500+62.92 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7317TRPBF IRF7317TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7317.pdf Trans MOSFET N/P-CH Si 20V 6.6A/5.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 8676 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
166+73.52 грн
174+70.23 грн
250+67.41 грн
500+62.66 грн
1000+56.12 грн
2500+52.28 грн
5000+50.88 грн
Мінімальне замовлення: 166
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7317TRPBF IRF7317TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0002485110-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7317TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 6.6 A, 6.6 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+79.37 грн
12+71.30 грн
100+68.42 грн
500+62.92 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7317TRPBF IRF7317TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF7317_DataSheet_v01_01_EN-3362844.pdf MOSFETs MOSFT DUAL N/PCh 20V 6.6A
на замовлення 768 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+86.48 грн
10+59.92 грн
100+41.32 грн
500+34.57 грн
1000+31.70 грн
2000+29.58 грн
4000+28.99 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7317TRPBF IRF7317TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7317pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f5b8de1b3d Description: MOSFET N/P-CH 20V 6.6A/5.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A, 5.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 1782 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+122.26 грн
10+74.54 грн
100+49.88 грн
500+36.87 грн
1000+33.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7317TRPBF Виробник : International Rectifier Corporation irf7317pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f5b8de1b3d SOIC-8
на замовлення 50 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7317TRPBF Виробник : Taiwan TY Semiconductor irf7317pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f5b8de1b3d SOIC-8
на замовлення 339 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7317TRPBF IRF7317TRPBF
Код товару: 41839
Додати до обраних Обраний товар

irf7317pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f5b8de1b3d Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7317TRPBF IRF7317TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7317.pdf Trans MOSFET N/P-CH Si 20V 6.6A/5.3A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7317TRPBF IRF7317TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf7317pbf.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 6.6/-5.3A; 2W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 6.6/-5.3A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 29/58mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7317TRPBF IRF7317TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7317pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f5b8de1b3d Description: MOSFET N/P-CH 20V 6.6A/5.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A, 5.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Not For New Designs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7317TRPBF IRF7317TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf7317pbf.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 6.6/-5.3A; 2W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 6.6/-5.3A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 29/58mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.