IRF7319TR UMW
Виробник: UMWDescription: MOSFET N/P-CH 30V 6.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 4.9A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V, 710pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5.8A, 10V, 60mOhm @ 4.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V, 34nC @ 10V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 21.30 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF7319TR UMW
Description: MOSFET N/P-CH 30V 6.5A 8SOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Configuration: N and P-Channel, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOP, Mounting Type: Surface Mount, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2W (Ta), Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 4.9A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V, 710pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5.8A, 10V, 60mOhm @ 4.9A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V, 34nC @ 10V.
Інші пропозиції IRF7319TR за ціною від 11.20 грн до 25.34 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRF7319TR | Виробник : HXY MOSFET |
Transistor N/P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 30mOhm/70mOhm; 6A/5,5A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7319; IRF7319TR; SP001555176; SP001563414; IRF7319TR HXY MOSFET TIRF7319 HXY кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 250 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||
| IRF7319TR | Виробник : JGSEMI |
Transistor N/P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 35mOhm/55mOhm; 7A/6,5A; 2,5W; -55°C ~ 125°C; Equivalent: IRF7319; IRF7319TR; SP001555176; SP001563414; IRF7319TR JGSEMI TIRF7319 JGS кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||
| IRF7319TR | Виробник : JGSEMI |
Transistor N/P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 35mOhm/55mOhm; 7A/6,5A; 2,5W; -55°C ~ 125°C; Equivalent: IRF7319; IRF7319TR; SP001555176; SP001563414; IRF7319TR JGSEMI TIRF7319 JGS кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||
| IRF7319TR | Виробник : UMW |
Transistor N/P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 48mOhm/100mOhm; 6,5A/4,9A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7319; IRF7319TR; SP001555176; SP001563414; IRF7319TR UMW TIRF7319 UMW кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||
| IRF7319TR | Виробник : Infineon |
Transistor 2xN/P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 46mOhm/98mOhm; 6,5A/4,9A; 2W; -55°C ~ 150°C; Replacement: IRF7319TR; IRF7319; IRF7319-GURT; IRF7319 SMD; YFW6G03S; RC4606; IRF7319TR TIRF7319 кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||
| IRF7319TR | Виробник : IR |
|
на замовлення 359 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||
|
|
IRF7319TR | Виробник : UMW |
Description: MOSFET N/P-CH 30V 6.5A 8SOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOP Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W (Ta) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 4.9A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V, 710pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5.8A, 10V, 60mOhm @ 4.9A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V, 34nC @ 10V |
товару немає в наявності |