
IRF7319TR UMW

Description: MOSFET N/P-CH 30V 6.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 4.9A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V, 710pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5.8A, 10V, 60mOhm @ 4.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V, 34nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 20.76 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF7319TR UMW
Description: MOSFET N/P-CH 30V 6.5A 8SOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2W (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 4.9A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V, 710pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5.8A, 10V, 60mOhm @ 4.9A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V, 34nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOP.
Інші пропозиції IRF7319TR за ціною від 11.80 грн до 16.01 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRF7319TR | Виробник : JGSEMI |
![]() кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 120 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||
IRF7319TR | Виробник : UMW |
![]() кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||
IRF7319TR | Виробник : IR |
![]() |
на замовлення 359 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||
![]() |
IRF7319TR | Виробник : UMW |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 4.9A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V, 710pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5.8A, 10V, 60mOhm @ 4.9A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V, 34nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOP |
товару немає в наявності |