IRF7324TRPBF
Код товару: 37138
Виробник: IRКорпус: SO-8
Uds,V: 20 V
Id,A: 7 А
Rds(on),Om: 0,018 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2940/42
Монтаж: SMD
у наявності 1 шт:
1 шт - РАДІОМАГ-Київ
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 34.00 грн |
| 10+ | 30.60 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRF7324TRPBF за ціною від 27.37 грн до 134.45 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF7324TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 20V 9A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 642 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRF7324TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT DUAL PCh -20V 9A |
на замовлення 224 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRF7324TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7324TRPBF - Dual-MOSFET, Zweifach p-Kanal, 20 V, 9 A tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.018ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Zweifach p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 39 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF7324TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 20V 9A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
|
|
IRF7324TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7324TRPBF - Dual-MOSFET, Zweifach p-Kanal, 20 V, 9 A tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.018ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: - productTraceability: No Kanaltyp: Zweifach p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 39 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
| IRF7324TRPBF | Виробник : International Rectifier Corporation |
SO8 |
на замовлення 62 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||
| IRF7324TRPBF | Виробник : International Rectifier/Infineon |
2P-канальний ПТ; Udss, В = 20; Id = 9 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 2940 @ 15; Qg, нКл = 63 @ 5 В; Rds = 18 мОм @ 9 A, 4,5 В; Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА; Р, Вт = 2; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOICN-8 |
на замовлення 53 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
||||||||||||||||
 |
IRF7324TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2P-CH 20V 9A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2940pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
IRF7324TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2P-CH 20V 9A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2940pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
IRF7324TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -9A; 2W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET x2 Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -9A Power dissipation: 2W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |