IRF7324TRPBF
Код товару: 37138
Виробник: IRКорпус: SO-8
Uds,V: 20 V
Id,A: 7 А
Rds(on),Om: 0,018 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2940/42
Монтаж: SMD
у наявності 1 шт:
1 шт - РАДІОМАГ-Київ
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 34.00 грн |
| 10+ | 30.60 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRF7324TRPBF за ціною від 30.33 грн до 144.13 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF7324TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2P-CH 20V 9A 8SOPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2940pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF7324TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 20V 9A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 3772 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF7324TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 20V 9A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF7324TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 20V 9A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF7324TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 20V 9A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF7324TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 20V 9A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF7324TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 20V 9A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF7324TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 20V 9A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 912 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF7324TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 20V 9A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 2830 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF7324TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 20V 9A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 1772 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF7324TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 20V 9A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 7002 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF7324TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 20V 9A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 2894 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF7324TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7324TRPBF - Dual-MOSFET, Zweifach p-Kanal, 20 V, 9 AtariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.018ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: - productTraceability: No Kanaltyp: Zweifach p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 9708 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF7324TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2P-CH 20V 9A 8SOPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2940pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active |
на замовлення 6351 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF7324TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT DUAL PCh -20V 9A |
на замовлення 5433 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF7324TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7324TRPBF - Dual-MOSFET, Zweifach p-Kanal, 20 V, 9 AtariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.018ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: - productTraceability: No Kanaltyp: Zweifach p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 9708 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF7324TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 20V 9A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 2894 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IRF7324TRPBF | Виробник : International Rectifier Corporation |
SO8 |
на замовлення 62 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| IRF7324TRPBF | Виробник : International Rectifier/Infineon |
2P-канальний ПТ; Udss, В = 20; Id = 9 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 2940 @ 15; Qg, нКл = 63 @ 5 В; Rds = 18 мОм @ 9 A, 4,5 В; Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА; Р, Вт = 2; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOICN-8 |
на замовлення 53 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
||||||||||||||||||
|
IRF7324TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 20V 9A 8-Pin SOIC T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
IRF7324TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -9A; 2W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET x2 Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -9A Power dissipation: 2W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
З цим товаром купують
| CP2102-GMR Код товару: 22679
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: SiLabs
Мікросхеми > Інтерфейсні
Корпус: QFN-28
Характеристики: USB-TO-UART BRIDGE
Живлення: 3,6 V
Темп.діапазон: -55…125°C
Тип монтажу: SMD
Інтерфейс: UART
Мікросхеми > Інтерфейсні
Корпус: QFN-28
Характеристики: USB-TO-UART BRIDGE
Живлення: 3,6 V
Темп.діапазон: -55…125°C
Тип монтажу: SMD
Інтерфейс: UART
у наявності: 60 шт
39 шт - склад
6 шт - РАДІОМАГ-Київ
5 шт - РАДІОМАГ-Львів
1 шт - РАДІОМАГ-Харків
6 шт - РАДІОМАГ-Одеса
3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
6 шт - РАДІОМАГ-Київ
5 шт - РАДІОМАГ-Львів
1 шт - РАДІОМАГ-Харків
6 шт - РАДІОМАГ-Одеса
3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 131.00 грн |
| 10+ | 121.00 грн |
| Контакти для HU-xx (KLS1-2.54-T, 2542-TL) Код товару: 8246
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: KLS
Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Низьковольтного живлення
Опис: Контакти під роз'єм з кроком 2,54мм на провід: 22-28AWG
Вилка/гніздо: Контакти / наконечники
Крок контактів: 2,54 mm
Серія роз’єма: Контакти для HU
Монтаж: на провід
Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Низьковольтного живлення
Опис: Контакти під роз'єм з кроком 2,54мм на провід: 22-28AWG
Вилка/гніздо: Контакти / наконечники
Крок контактів: 2,54 mm
Серія роз’єма: Контакти для HU
Монтаж: на провід
товару немає в наявності
очікується:
100000 шт
100000 шт - очікується 25.11.2025
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 1.00 грн |
| 34+ | 0.60 грн |
| 100+ | 0.42 грн |
| 1000+ | 0.33 грн |
| 470 Ohm 5% 0,1W 50V 0603 (RC0603JR-470R-Hitano) (резистор SMD) Код товару: 4687
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0603
Номінал: 470 Ohm
Точність: ±5% J
Pном, W: 0,1 W
Uроб,V: 50 V
Типорозмір: 0603
SMD резистори > 0603
Номінал: 470 Ohm
Точність: ±5% J
Pном, W: 0,1 W
Uроб,V: 50 V
Типорозмір: 0603
у наявності: 1760 шт
1760 шт - склад
очікується:
30000 шт
30000 шт - очікується 25.12.2025
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 200+ | 0.10 грн |
| 1000+ | 0.06 грн |
| 10000+ | 0.04 грн |
| 10 kOhm 5% 0,1W 50V 0603 (RC0603JR-10KR-Hitano) (резистор SMD) Код товару: 4671
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Yageo
SMD резистори > 0603
Номінал: 10 kOhm
Точність: ±5% J
Pном, W: 0,1 W
Uроб,V: 50 V
Типорозмір: 0603
SMD резистори > 0603
Номінал: 10 kOhm
Точність: ±5% J
Pном, W: 0,1 W
Uроб,V: 50 V
Типорозмір: 0603
у наявності: 83 шт
83 шт - склад
очікується:
40000 шт
40000 шт - очікується 11.11.2025
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 200+ | 0.10 грн |
| 1000+ | 0.06 грн |
| 10000+ | 0.04 грн |
| 100 kOhm 5% 0,1W 50V 0603 (RC0603JR-100KR-Hitano) (резистор SMD) Код товару: 4631
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0603
Номінал: 100 kOhm
Точність: ±5% J
Pном, W: 0,1 W
Uроб,V: 50 V
Типорозмір: 0603
SMD резистори > 0603
Номінал: 100 kOhm
Точність: ±5% J
Pном, W: 0,1 W
Uроб,V: 50 V
Типорозмір: 0603
у наявності: 45611 шт
34555 шт - склад
4600 шт - РАДІОМАГ-Київ
1151 шт - РАДІОМАГ-Львів
3820 шт - РАДІОМАГ-Харків
400 шт - РАДІОМАГ-Одеса
1085 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
4600 шт - РАДІОМАГ-Київ
1151 шт - РАДІОМАГ-Львів
3820 шт - РАДІОМАГ-Харків
400 шт - РАДІОМАГ-Одеса
1085 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 200+ | 0.10 грн |
| 1000+ | 0.06 грн |
| 10000+ | 0.04 грн |







