IRF7324TRPBF
Код товару: 37138
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: IR
Корпус: SO-8
Напруга сток-витік Uds, В: 20 В
Струм стоку Id, А: 7 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,018 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 2940/42
Монтаж: SMD
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRF7324TRPBF за ціною від 127.75 грн до 185.80 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF7324TRPBF | International Rectifier |
SO8 Транзистори |
на замовлення 52 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
|
||||
|
IRF7324TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 20V 9A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||
|
IRF7324TRPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT DUAL PCh -20V 9A |
на замовлення 224 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||
|
IRF7324TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7324TRPBF - Dual-MOSFET, Zweifach p-Kanal, 20 V, 9 AtariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.018ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: - SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: Zweifach p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: - Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
|
IRF7324TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7324TRPBF - Dual-MOSFET, Zweifach p-Kanal, 20 V, 9 AtariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.018ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: - SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: Zweifach p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: - Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 11 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| IRF7324TRPBF | International Rectifier/Infineon |
2P-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 9 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 2940 @ 15, Qg, нКл = 63 @ 5 В, Rds = 18 мОм @ 9 A, 4,5 В, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА, Р, Вт = 2, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шткількість в упаковці: 95 шт |
на замовлення 53 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
| IRF7324TRPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
SO8 Транзистори
SO8 Транзистори
на замовлення 52 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 127.75 грн |
| IRF7324TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 20V 9A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET P-CH Si 20V 9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRF7324TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT DUAL PCh -20V 9A
MOSFETs MOSFT DUAL PCh -20V 9A
на замовлення 224 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IRF7324TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7324TRPBF - Dual-MOSFET, Zweifach p-Kanal, 20 V, 9 A
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.018ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: INFINEON - IRF7324TRPBF - Dual-MOSFET, Zweifach p-Kanal, 20 V, 9 A
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.018ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRF7324TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7324TRPBF - Dual-MOSFET, Zweifach p-Kanal, 20 V, 9 A
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.018ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: INFINEON - IRF7324TRPBF - Dual-MOSFET, Zweifach p-Kanal, 20 V, 9 A
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.018ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRF7324TRPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier/Infineon
2P-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 9 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 2940 @ 15, Qg, нКл = 63 @ 5 В, Rds = 18 мОм @ 9 A, 4,5 В, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА, Р, Вт = 2, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 95 шт
2P-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 9 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 2940 @ 15, Qg, нКл = 63 @ 5 В, Rds = 18 мОм @ 9 A, 4,5 В, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА, Р, Вт = 2, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 95 шт
на замовлення 53 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 95+ | 185.80 грн |
| 190+ | 159.26 грн |






