IRF7324TRPBF


irf7324pbf-datasheet.pdf
Код товару: 37138
Додати до обраних Обраний товар

Виробник: IR
Корпус: SO-8
Напруга сток-витік Uds, В: 20 В
Струм стоку Id, А: 7 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,018 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 2940/42
Монтаж: SMD
у наявності: 1 шт
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Київ
КількістьЦіна без ПДВ
1+34.00 грн
10+30.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRF7324TRPBF за ціною від 127.75 грн до 185.80 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRF7324TRPBF IRF7324TRPBF International Rectifier irf7324pbf.pdf SO8 Транзистори
на замовлення 52 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
3+127.75 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7324TRPBF IRF7324TRPBF Infineon Technologies irf7324.pdf Trans MOSFET P-CH Si 20V 9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7324TRPBF IRF7324TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRF7324_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT DUAL PCh -20V 9A
на замовлення 224 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7324TRPBF IRF7324TRPBF INFINEON IRSDS18150-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7324TRPBF - Dual-MOSFET, Zweifach p-Kanal, 20 V, 9 A
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.018ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7324TRPBF IRF7324TRPBF INFINEON IRSDS18150-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7324TRPBF - Dual-MOSFET, Zweifach p-Kanal, 20 V, 9 A
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.018ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7324TRPBF International Rectifier/Infineon irf7324pbf-1.pdf 2P-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 9 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 2940 @ 15, Qg, нКл = 63 @ 5 В, Rds = 18 мОм @ 9 A, 4,5 В, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА, Р, Вт = 2, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 95 шт
на замовлення 53 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
95+185.80 грн
190+159.26 грн
Мінімальне замовлення: 53 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7324TRPBF irf7324pbf.pdf
Виробник: International Rectifier
SO8 Транзистори
на замовлення 52 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+127.75 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7324TRPBF irf7324.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 20V 9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7324TRPBF Infineon_IRF7324_DataSheet_v01_01_EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT DUAL PCh -20V 9A
на замовлення 224 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7324TRPBF IRSDS18150-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7324TRPBF - Dual-MOSFET, Zweifach p-Kanal, 20 V, 9 A
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.018ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7324TRPBF IRSDS18150-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7324TRPBF - Dual-MOSFET, Zweifach p-Kanal, 20 V, 9 A
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.018ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7324TRPBF irf7324pbf-1.pdf
Виробник: International Rectifier/Infineon
2P-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 9 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 2940 @ 15, Qg, нКл = 63 @ 5 В, Rds = 18 мОм @ 9 A, 4,5 В, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА, Р, Вт = 2, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 95 шт
на замовлення 53 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
95+185.80 грн
190+159.26 грн
Мінімальне замовлення: 53 шт
В кошику  од. на суму  грн.