Наименование: IRF7326D2PBF

код товара: 41019
IRF7326D2PBF

DOWNLOAD irf7326d2pbf.pdf

Найти техническое описание (datasheet) в Google

Фото Наименование Производитель Описание В наличии/под заказ Цена
IRF7326D2PBF IRF7326D2PBF
код товара: 41019
Категория: Электронные компоненты и комплектующие - Активные компоненты - Транзисторы - Полевые P-канальные
IRF7326D2PBF IRF7326D2PBF Infineon Technologies Americas Corp. MOSFET P-CH 30V 3.6A 8-SOIC; Supplier Device Package : 8-SO; Package / Case : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width); Mounting Type : Surface Mount; Operating Temperature : -55°C ~ 150°C (TJ); Power - Max : 2W; Input Capacitance (Ciss) @ Vds : 440pF @ 25V; Gate Charge (Qg) @ Vgs : 25nC @ 10V; Vgs(th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA; Rds On (Max) @ Id, Vgs : 100 mOhm @ 1.8A, 10V; Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C : 3.6A (Ta); Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V; FET Feature : Diode (Isolated); FET Type : MOSFET P-Channel, Metal Oxide товар отсутствует, Вы можете сделать запрос добавив товар в корзину

Техническое описание IRF7326D2PBF

  • MOSFET, P, FETKY, SO-8
  • Transistor Polarity:P
  • Max Current Id:29A
  • Max Voltage Vds:30V
  • On State Resistance:0.1ohm
  • Power Dissipation:2W
  • Transistor Case Style:SOIC
  • SVHC:No SVHC
  • Av Current If:2.8A
  • Case Style:SOIC
  • Cont Current Id:3.6A
  • Current Temperature:25`C
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Max Voltage Vf:0.57V
  • Max Voltage Vgs th:-2V
  • Min Voltage Vgs th:-1V
  • No. of Transistors:1
  • Power Dissipation Pd:2W
  • Pulse Current Idm:29A
  • SMD Marking:F7326
  • Termination Type:SMD
  • Transistor Type:MOSFET
  • Typ Voltage Vds:-30V
  • Typ Voltage Vgs th:-1V
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:-10V

Цена IRF7326D2PBF

от 0 грн до 0 грн
Asers Shop ©