Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF7326D2TRPBF

IRF7326D2TRPBF Infineon Technologies

Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 30V 3.6A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.8A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V

на замовлення 2090 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
7+	43.33 грн
10+	32.34 грн
100+	26.79 грн
500+	23.02 грн
1000+	22.25 грн

Мінімальне замовлення: 7

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IRF7326D2TRPBF Infineon Technologies

Description: MOSFET P-CH 30V 3.6A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.8A, 10V, FET Feature: Schottky Diode (Isolated), Power Dissipation (Max): 2W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SO, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRF7326D2TRPBF

Назва	Виробник	Інформація	Доступність
IRF7326D2TRPBF	Виробник : IR	SOP-8 0506+	на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF7326D2TRPBF	Виробник : IR	0506+ SOP-8	на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF7326D2TRPBF	Виробник : Infineon Technologies	Trans MOSFET P-CH Si 30V 3.6A 8-Pin SOIC T/R	товар відсутній
IRF7326D2TRPBF	Виробник : Infineon Technologies	Description: MOSFET P-CH 30V 3.6A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.8A, 10V FET Feature: Schottky Diode (Isolated) Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V	товар відсутній