Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF7326D2TRPBF
IRF7326D2TRPBF

IRF7326D2TRPBF Infineon Technologies

IR_PartNumberingSystem.pdf Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 30V 3.6A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.8A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
на замовлення 2090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+46.05 грн
10+34.25 грн
100+28.65 грн
500+24.73 грн
1000+24.05 грн
2000+23.49 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF7326D2TRPBF Infineon Technologies

Description: MOSFET P-CH 30V 3.6A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.8A, 10V, FET Feature: Schottky Diode (Isolated), Power Dissipation (Max): 2W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SO, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRF7326D2TRPBF

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF7326D2TRPBF Виробник : IR IR_PartNumberingSystem.pdf SOP-8 0506+
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7326D2TRPBF Виробник : IR IR_PartNumberingSystem.pdf 0506+ SOP-8
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7326D2TRPBF IRF7326D2TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7326d2.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 3.6A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7326D2TRPBF IRF7326D2TRPBF Виробник : Infineon Technologies IR_PartNumberingSystem.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 3.6A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.8A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.