IRF7328TRPBF Infineon Technologies


irf7328.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 30V 8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 35020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
482+73.48 грн
535+66.14 грн
1000+60.99 грн
10000+52.43 грн
Мінімальне замовлення: 482 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF7328TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF7328TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 8 A, 8 A, 0.017 ohm, tariffCode: 85412900, Wandlerpolarität: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, productTraceability: No, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, hazardous: false, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Produktpalette: -, Bauform - Transistor: SOIC, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm, Dauer-Drainstrom Id: 8A, rohsPhthalatesCompliant: YES, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.017ohm, usEccn: EAR99, Transistormontage: Oberflächenmontage, Verlustleistung Pd: 2W, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції IRF7328TRPBF

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRF7328TRPBF IRF7328TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRF7328_DataSheet_v01_01_EN-3223886.pdf MOSFET MOSFT DUAL PCh -30V 8A
на замовлення 11772 шт:
термін постачання 105-114 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7328TRPBF IRF7328TRPBF INFINEON IRSDS11354-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7328TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 8 A, 8 A, 0.017 ohm
tariffCode: 85412900
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
hazardous: false
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Produktpalette: -
Bauform - Transistor: SOIC
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
Dauer-Drainstrom Id: 8A
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.017ohm
usEccn: EAR99
Transistormontage: Oberflächenmontage
Verlustleistung Pd: 2W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7328TRPBF IRF7328TRPBF INFINEON IRSDS11354-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7328TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 8 A, 8 A, 0.017 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7328TRPBF Infineon_IRF7328_DataSheet_v01_01_EN-3223886.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT DUAL PCh -30V 8A
на замовлення 11772 шт:
термін постачання 105-114 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7328TRPBF IRSDS11354-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7328TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 8 A, 8 A, 0.017 ohm
tariffCode: 85412900
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
hazardous: false
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Produktpalette: -
Bauform - Transistor: SOIC
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
Dauer-Drainstrom Id: 8A
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.017ohm
usEccn: EAR99
Transistormontage: Oberflächenmontage
Verlustleistung Pd: 2W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7328TRPBF IRSDS11354-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7328TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 8 A, 8 A, 0.017 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.