IRF7328TRPBF Infineon Technologies
на замовлення 148836 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 483+ | 63.08 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF7328TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF7328TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 8 A, 8 A, 0.017 ohm, tariffCode: 85412900, Wandlerpolarität: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, productTraceability: No, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, hazardous: false, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Produktpalette: -, Bauform - Transistor: SOIC, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm, Dauer-Drainstrom Id: 8A, rohsPhthalatesCompliant: YES, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.017ohm, usEccn: EAR99, Transistormontage: Oberflächenmontage, Verlustleistung Pd: 2W, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IRF7328TRPBF за ціною від 43.81 грн до 148.19 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF7328TRPBF | Виробник : INFINEON |
 Description: INFINEON - IRF7328TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 8 A, 8 A, 0.017 ohmtariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 1418 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF7328TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET MOSFT DUAL PCh -30V 8A |
на замовлення 11772 шт: термін постачання 105-114 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF7328TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7328TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 8 A, 8 A, 0.017 ohm tariffCode: 85412900 Wandlerpolarität: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C productTraceability: No Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm Anzahl der Pins: 8Pin(s) Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A MSL: MSL 1 - unbegrenzt hazardous: false Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Produktpalette: - Bauform - Transistor: SOIC Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR rohsCompliant: YES Verlustleistung, n-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds: 30V Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm Dauer-Drainstrom Id: 8A rohsPhthalatesCompliant: YES Betriebswiderstand, Rds(on): 0.017ohm usEccn: EAR99 Transistormontage: Oberflächenmontage Verlustleistung Pd: 2W SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 1418 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IRF7328TRPBF | Виробник : Infineon/IR |
-30V Dual P-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package |
на замовлення 502 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
 |
IRF7328TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 8A 8-Pin SOIC T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IRF7328TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 8A 8-Pin SOIC T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
IRF7328TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -8A; 2W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET x2 Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -8A Power dissipation: 2W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 4000 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
IRF7328TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2P-CH 30V 8A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2675pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IRF7328TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2P-CH 30V 8A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2675pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IRF7328TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -8A; 2W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET x2 Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -8A Power dissipation: 2W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |