
IRF7328TRPBFXTMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IRF7328TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach p-Kanal, 30 V, 8 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
100+ | 54.91 грн |
500+ | 45.64 грн |
1000+ | 36.41 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF7328TRPBFXTMA1 INFINEON
Description: INFINEON - IRF7328TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach p-Kanal, 30 V, 8 A, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SO-8, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Zweifach p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRF7328TRPBFXTMA1 за ціною від 31.04 грн до 115.26 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRF7328TRPBFXTMA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: SO-8 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Zweifach p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2255 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
IRF7328TRPBFXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IRF7328TRPBFXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IRF7328TRPBFXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 208000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IRF7328TRPBFXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IRF7328TRPBFXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 94 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IRF7328TRPBFXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 94 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||
IRF7328TRPBFXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
![]() |
IRF7328TRPBFXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2P-CH 30V 8A 8DSO-902 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2675pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PG-DSO-8-902 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
IRF7328TRPBFXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
IRF7328TRPBFXTMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; 30V; 8A; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 8A Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |