Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF7328TRPBFXTMA1
IRF7328TRPBFXTMA1

IRF7328TRPBFXTMA1 Infineon Technologies

Infineon_IRF7328_DataSheet_v01_01_EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 3354 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+160.28 грн
10+99.29 грн
100+56.76 грн
500+45.04 грн
1000+40.01 грн
2000+38.29 грн
4000+34.38 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 31-40 дні (днів)
Мінімальна партія: 2 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF7328TRPBFXTMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF7328TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach p-Kanal, 30 V, 8 A, 0.021 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025), Bauform - Transistor: SO-8, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: Zweifach p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції IRF7328TRPBFXTMA1 за ціною від 73.67 грн до 73.67 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRF7328TRPBFXTMA1 IRF7328TRPBFXTMA1 INFINEON 3740600.pdf Description: INFINEON - IRF7328TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach p-Kanal, 30 V, 8 A, 0.021 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7328TRPBFXTMA1 IRF7328TRPBFXTMA1 INFINEON 3740600.pdf Description: INFINEON - IRF7328TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach p-Kanal, 30 V, 8 A, 0.021 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7328TRPBFXTMA1 Infineon Technologies irf7328.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
199+73.67 грн
Мінімальне замовлення: 199 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7328TRPBFXTMA1 3740600.pdf
IRF7328TRPBFXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7328TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach p-Kanal, 30 V, 8 A, 0.021 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7328TRPBFXTMA1 3740600.pdf
IRF7328TRPBFXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7328TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach p-Kanal, 30 V, 8 A, 0.021 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7328TRPBFXTMA1 irf7328.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
199+73.67 грн
Мінімальне замовлення: 199 шт
В кошику  од. на суму  грн.