IRF7328TRPBFXTMA1 INFINEON
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7328TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach p-Kanal, 30 V, 8 A, 0.021 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 56.99 грн |
| 500+ | 43.45 грн |
| 1000+ | 37.07 грн |
| 5000+ | 31.86 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF7328TRPBFXTMA1 INFINEON
Description: INFINEON - IRF7328TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach p-Kanal, 30 V, 8 A, 0.021 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SO-8, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Zweifach p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRF7328TRPBFXTMA1 за ціною від 31.86 грн до 146.37 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRF7328TRPBFXTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7328TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach p-Kanal, 30 V, 8 A, 0.021 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: SO-8 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Zweifach p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 5431 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRF7328TRPBFXTMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs TRENCH <= 40V |
на замовлення 3369 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
| IRF7328TRPBFXTMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 214 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| IRF7328TRPBFXTMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7328TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach p-Kanal, 30 V, 8 A, 0.021 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRF7328TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach p-Kanal, 30 V, 8 A, 0.021 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 134.86 грн |
| 10+ | 85.52 грн |
| 100+ | 56.99 грн |
| 500+ | 43.45 грн |
| 1000+ | 37.07 грн |
| 5000+ | 31.86 грн |
| IRF7328TRPBFXTMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs TRENCH <= 40V
MOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 3369 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 146.37 грн |
| 10+ | 83.49 грн |
| 100+ | 50.47 грн |
| 500+ | 42.29 грн |
| 1000+ | 39.12 грн |
| 4000+ | 32.99 грн |
| IRF7328TRPBFXTMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET P-CH Si 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 199+ | 71.29 грн |