IRF7329TRPBF Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 12V 9.2A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4000+ | 30.67 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF7329TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF7329TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 12 V, 9.2 A, 9.2 A, 0.017 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.2A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRF7329TRPBF за ціною від 27.23 грн до 118.69 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF7329TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 12V 9.2A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 321 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF7329TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 12V 9.2A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF7329TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 12V 9.2A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF7329TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 12V 9.2A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF7329TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7329TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 12 V, 9.2 A, 9.2 A, 0.017 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.2A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 3629 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF7329TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT DUAL PCh -12V 9.2A |
на замовлення 2409 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF7329TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7329TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 12 V, 9.2 A, 9.2 A, 0.017 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.2A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 3629 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF7329TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2P-CH 12V 9.2A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9.2A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active |
на замовлення 7432 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF7329TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 12V 9.2A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 321 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
IRF7329TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 12V 9.2A 8-Pin SOIC T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IRF7329TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 12V 9.2A 8-Pin SOIC T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| IRF7329TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; 12V; 9.2A; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 12V Drain current: 9.2A Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |