Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF7329TRPBF
IRF7329TRPBF

IRF7329TRPBF Infineon Technologies

irf7329pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f617841b55
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2P-CH 12V 9.2A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4000+29.30 грн
8000+26.49 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF7329TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF7329TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 12 V, 9.2 A, 9.2 A, 0.017 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.2A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRF7329TRPBF за ціною від 25.51 грн до 117.59 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IRF7329TRPBF IRF7329TRPBF INFINEON INFN-S-A0004664150-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7329TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 12 V, 9.2 A, 9.2 A, 0.017 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+46.30 грн
500+35.28 грн
1000+29.67 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7329TRPBF IRF7329TRPBF Infineon Technologies irf7329pbf.pdf Trans MOSFET P-CH Si 12V 9.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
611+57.88 грн
1000+53.37 грн
Мінімальне замовлення: 611 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7329TRPBF IRF7329TRPBF Infineon Technologies irf7329pbf.pdf Trans MOSFET P-CH Si 12V 9.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+64.14 грн
14+54.38 грн
25+52.82 грн
50+50.43 грн
100+30.75 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7329TRPBF IRF7329TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRF7329_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT DUAL PCh -12V 9.2A
на замовлення 2409 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+98.68 грн
10+63.55 грн
100+36.16 грн
500+32.70 грн
1000+29.96 грн
2000+29.32 грн
4000+25.51 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7329TRPBF IRF7329TRPBF Infineon Technologies irf7329pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f617841b55 Description: MOSFET 2P-CH 12V 9.2A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 12155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+113.39 грн
10+68.87 грн
100+46.03 грн
500+34.01 грн
1000+31.05 грн
2000+30.42 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7329TRPBF IRF7329TRPBF Infineon Technologies irf7329pbf.pdf Trans MOSFET P-CH Si 12V 9.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
121+117.31 грн
203+69.97 грн
258+54.91 грн
500+48.97 грн
1000+40.38 грн
Мінімальне замовлення: 121 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7329TRPBF IRF7329TRPBF INFINEON INFN-S-A0004664150-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7329TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 12 V, 9.2 A, 9.2 A, 0.017 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+117.59 грн
13+67.59 грн
100+46.30 грн
500+35.28 грн
1000+29.67 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7329TRPBF IRF7329TRPBF Infineon Technologies irf7329pbf.pdf Trans MOSFET P-CH Si 12V 9.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7329TRPBF INFN-S-A0004664150-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7329TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7329TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 12 V, 9.2 A, 9.2 A, 0.017 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+46.30 грн
500+35.28 грн
1000+29.67 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7329TRPBF irf7329pbf.pdf
IRF7329TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 12V 9.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
611+57.88 грн
1000+53.37 грн
Мінімальне замовлення: 611 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7329TRPBF irf7329pbf.pdf
IRF7329TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 12V 9.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
12+64.14 грн
14+54.38 грн
25+52.82 грн
50+50.43 грн
100+30.75 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7329TRPBF Infineon_IRF7329_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRF7329TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT DUAL PCh -12V 9.2A
на замовлення 2409 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
4+98.68 грн
10+63.55 грн
100+36.16 грн
500+32.70 грн
1000+29.96 грн
2000+29.32 грн
4000+25.51 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7329TRPBF irf7329pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f617841b55
IRF7329TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2P-CH 12V 9.2A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 12155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+113.39 грн
10+68.87 грн
100+46.03 грн
500+34.01 грн
1000+31.05 грн
2000+30.42 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7329TRPBF irf7329pbf.pdf
IRF7329TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 12V 9.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
121+117.31 грн
203+69.97 грн
258+54.91 грн
500+48.97 грн
1000+40.38 грн
Мінімальне замовлення: 121 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7329TRPBF INFN-S-A0004664150-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7329TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7329TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 12 V, 9.2 A, 9.2 A, 0.017 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+117.59 грн
13+67.59 грн
100+46.30 грн
500+35.28 грн
1000+29.67 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7329TRPBF irf7329pbf.pdf
IRF7329TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 12V 9.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.