IRF7329TRPBF

IRF7329TRPBF Infineon Technologies


infineon-irf7329-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 12V 9.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+27.11 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF7329TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF7329TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 12 V, 9.2 A, 9.2 A, 0.017 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.2A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRF7329TRPBF за ціною від 24.45 грн до 113.82 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF7329TRPBF IRF7329TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7329-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 12V 9.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+29.20 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7329TRPBF IRF7329TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7329pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f617841b55 Description: MOSFET 2P-CH 12V 9.2A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+29.53 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7329TRPBF IRF7329TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7329-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 12V 9.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+30.82 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7329TRPBF IRF7329TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7329-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 12V 9.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+31.21 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7329TRPBF IRF7329TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7329-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 12V 9.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 339 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
272+44.87 грн
281+43.40 грн
316+38.52 грн
Мінімальне замовлення: 272
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7329TRPBF IRF7329TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7329-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 12V 9.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 339 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+48.96 грн
15+41.67 грн
25+40.30 грн
100+34.49 грн
250+24.45 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7329TRPBF IRF7329TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7329-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 12V 9.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+52.82 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7329TRPBF IRF7329TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0004664150-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7329TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 12 V, 9.2 A, 9.2 A, 0.017 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+53.97 грн
500+41.20 грн
1000+35.17 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7329TRPBF IRF7329TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7329-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 12V 9.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 8380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
123+99.00 грн
154+79.44 грн
200+73.19 грн
1000+51.02 грн
4000+44.56 грн
Мінімальне замовлення: 123
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7329TRPBF IRF7329TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF7329_DataSheet_v01_01_EN-3363197.pdf MOSFETs MOSFT DUAL PCh -12V 9.2A
на замовлення 6596 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+110.91 грн
10+75.69 грн
100+45.06 грн
500+38.32 грн
1000+36.07 грн
2000+33.96 грн
4000+33.24 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7329TRPBF IRF7329TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0004664150-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7329TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 12 V, 9.2 A, 9.2 A, 0.017 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+112.34 грн
11+78.47 грн
100+53.97 грн
500+41.20 грн
1000+35.17 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7329TRPBF IRF7329TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7329pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f617841b55 Description: MOSFET 2P-CH 12V 9.2A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 4446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+113.82 грн
10+69.39 грн
100+46.38 грн
500+34.27 грн
1000+31.29 грн
2000+30.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7329TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf7329pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f617841b55 Category: Unclassified
Description: IRF7329TRPBF
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+38.75 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7329TRPBF IRF7329TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7329-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 12V 9.2A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7329TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf7329pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f617841b55 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; 12V; 9.2A; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 9.2A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.