Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRF7331PBF
IRF7331PBF

IRF7331PBF

IRF7331PBF.pdf
Код товару: 26137
Додати до обраних Обраний товар

Виробник: IR
Корпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Idd,A: 7 А
Rds(on), Ohm: 0,04 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1340/13
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
КількістьЦіна
1+20.00 грн
10+18.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF7331PBF IR

  • MOSFET, P, SO-8
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:P
  • Typ Voltage Vds:20V
  • Cont Current Id:7A
  • On State Resistance:0.03ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:4.5V
  • Typ Voltage Vgs th:1.2V
  • Case Style:SOIC
  • Termination Type:SMD
  • Current Temperature:25`C
  • External Depth:5.2mm
  • External Length / Height:1.75mm
  • External Width:4.05mm
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Max Voltage Vds:20V
  • No. of Pins:8
  • Power Dissipation Pd:2W
  • Pulse Current Idm:28A
  • SMD Marking:F7331
  • Transistor Case Style:SOIC

Інші пропозиції IRF7331PBF

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IRF7331PBF IRF7331PBF Infineon Technologies IRF7331PbF.pdf description Description: MOSFET 2N-CH 20V 7A 8SO
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1340pF @ 16V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7331PBF IRF7331PBF Infineon Technologies Infineon_IRF7331_DataSheet_v01_01_EN-1228116.pdf description MOSFETs 20V DUAL N-CH HEXFET 30mOhms 13nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7331PBF description IRF7331PbF.pdf
IRF7331PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 20V 7A 8SO
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1340pF @ 16V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7331PBF description Infineon_IRF7331_DataSheet_v01_01_EN-1228116.pdf
IRF7331PBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 20V DUAL N-CH HEXFET 30mOhms 13nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

TPS5430DDAR
Код товару: 58641
1 Додати до обраних Обраний товар
description suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Ftps5431
TPS5430DDAR
Виробник: TI
Мікросхеми > Стабілізатори напруги імпульсні
Корпус: HSOP-8
U вх, V: 36 V
I вых, A: 0,125
F, kHz: 500 kHz
Робоча температура, °С: -40…+125°C
у наявності: 217 шт
  • 172 шт - склад
  • 30 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 3 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 2 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна
1+82.50 грн
10+74.30 грн
100+65.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.