Продукція > IR > IRF7331TRPBF

IRF7331TRPBF


IRF7331PbF.pdf Виробник: IR
Транз. Пол. ММ 2N-HEXFET SO8 Udss=20V; Id=7A; Pdmax=2W; Rds=0,030 Ohm
на замовлення 3600 шт:

термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
8+38.97 грн
10+32.02 грн
100+29.11 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF7331TRPBF IR

Description: MOSFET 2N-CH 20V 7A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2W, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1340pF @ 16V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SO.

Інші пропозиції IRF7331TRPBF

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF7331TRPBF IRF7331TRPBF Виробник : Infineon Technologies IRF7331PbF.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1340pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7331TRPBF IRF7331TRPBF Виробник : Infineon Technologies IRF7331PbF.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1340pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7331TRPBF IRF7331TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF7331_DataSheet_v01_01_EN-3166109.pdf MOSFETs MOSFT DUAL NCh 20V 7.0A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.