Продукція > IOR > IRF7338TRPBF

IRF7338TRPBF IOR

IR_PartNumberingSystem.pdf Виробник: IOR

на замовлення 80000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF7338TRPBF IOR

Description: MOSFET N/P-CH 12V 6.3A/3A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2W, Drain to Source Voltage (Vdss): 12V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A, 3A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640pF @ 9V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 6A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SO.

Інші пропозиції IRF7338TRPBF

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF7338TRPBF Виробник : IR IR_PartNumberingSystem.pdf 0639+P
на замовлення 1698 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7338TRPBF Виробник : IR IR_PartNumberingSystem.pdf 09+
на замовлення 50018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7338TRPBF Виробник : IR IR_PartNumberingSystem.pdf SOP8
на замовлення 1419 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7338TRPBF Виробник : IR IR_PartNumberingSystem.pdf SOP8 0719+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7338TRPBF Виробник : IR IR_PartNumberingSystem.pdf SOP8 0846+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7338TRPBF IRF7338TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7338.pdf Trans MOSFET N/P-CH Si 12V 6.3A/3A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7338TRPBF IRF7338TRPBF Виробник : Infineon Technologies IR_PartNumberingSystem.pdf Description: MOSFET N/P-CH 12V 6.3A/3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A, 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640pF @ 9V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7338TRPBF IRF7338TRPBF Виробник : Infineon / IR irf7338-1169485.pdf MOSFET MOSFT DUAL N/PCh 12V 6.3A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.