Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF7341GTRPBF
IRF7341GTRPBF

IRF7341GTRPBF Infineon Technologies

infineonirf7341gdatasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 5.1A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+71.49 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF7341GTRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF7341GTRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 55 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.043 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V, MSL: -, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.043ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.7W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.043ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.7W, Betriebstemperatur, max.: 175°C.

Інші пропозиції IRF7341GTRPBF за ціною від 48.32 грн до 167.80 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRF7341GTRPBF IRF7341GTRPBF Infineon Technologies infineonirf7341gdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 5.1A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+72.80 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341GTRPBF IRF7341GTRPBF Infineon Technologies infineonirf7341gdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 5.1A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+72.80 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341GTRPBF IRF7341GTRPBF Infineon Technologies irf7341gpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f63e9b1b5f Description: MOSFET 2N-CH 55V 5.1A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 5126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+167.80 грн
10+103.92 грн
100+70.78 грн
500+53.11 грн
1000+48.83 грн
2000+48.32 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341GTRPBF IRF7341GTRPBF Infineon Technologies Infineon_IRF7341G_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs PLANAR FET
на замовлення 23589 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341GTRPBF IRF7341GTRPBF INFINEON IRSDS19144-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7341GTRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 55 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.043 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.043ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.7W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.043ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.7W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 2504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341GTRPBF IRF7341GTRPBF INFINEON IRSDS19144-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7341GTRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 55 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.043 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.043ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.7W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.043ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.7W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 2504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341GTRPBF infineonirf7341gdatasheetv0101en.pdf
IRF7341GTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 5.1A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+72.80 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341GTRPBF infineonirf7341gdatasheetv0101en.pdf
IRF7341GTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 5.1A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+72.80 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341GTRPBF irf7341gpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f63e9b1b5f
IRF7341GTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 55V 5.1A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 5126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+167.80 грн
10+103.92 грн
100+70.78 грн
500+53.11 грн
1000+48.83 грн
2000+48.32 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341GTRPBF Infineon_IRF7341G_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRF7341GTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs PLANAR FET
на замовлення 23589 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341GTRPBF IRSDS19144-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7341GTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7341GTRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 55 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.043 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.043ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.7W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.043ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.7W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 2504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341GTRPBF IRSDS19144-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7341GTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7341GTRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 55 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.043 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.043ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.7W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.043ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.7W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 2504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.