Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF7341GTRPBF
IRF7341GTRPBF

IRF7341GTRPBF Infineon Technologies

irf7341gpb.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 5.1A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+47.73 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF7341GTRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF7341GTRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 55 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.043 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V, MSL: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.043ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.7W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.043ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.7W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRF7341GTRPBF за ціною від 51.47 грн до 186.43 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF7341GTRPBF IRF7341GTRPBF Виробник : INFINEON IRSDS19144-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7341GTRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 55 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.043 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.043ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.7W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.043ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.7W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3359 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+107.99 грн
250+89.70 грн
1000+68.74 грн
2000+56.88 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341GTRPBF IRF7341GTRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf7341gpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f63e9b1b5f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 5.1A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 5.1A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3053 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+139.34 грн
10+91.38 грн
25+77.63 грн
50+68.74 грн
100+62.27 грн
250+55.80 грн
500+53.37 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341GTRPBF IRF7341GTRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf7341gpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f63e9b1b5f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 5.1A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 5.1A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3053 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+167.21 грн
10+113.87 грн
25+93.16 грн
50+82.48 грн
100+74.72 грн
250+66.96 грн
500+64.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341GTRPBF IRF7341GTRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF7341G_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs PLANAR 40<-<100V
на замовлення 27665 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+173.90 грн
10+98.21 грн
100+71.42 грн
500+60.79 грн
1000+59.39 грн
2000+54.81 грн
4000+51.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341GTRPBF IRF7341GTRPBF Виробник : INFINEON IRSDS19144-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7341GTRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 55 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.043 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.043ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.7W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.043ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.7W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3359 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+183.76 грн
50+107.99 грн
250+89.70 грн
1000+68.74 грн
2000+56.88 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341GTRPBF IRF7341GTRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7341gpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f63e9b1b5f Description: MOSFET 2N-CH 55V 5.1A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 5375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+186.43 грн
10+115.56 грн
100+79.19 грн
500+59.69 грн
1000+59.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341GTRPBF IRF7341GTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf7341gdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 5.1A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341GTRPBF IRF7341GTRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7341gpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f63e9b1b5f Description: MOSFET 2N-CH 55V 5.1A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.