IRF7341GTRPBF

IRF7341GTRPBF Infineon Technologies


irf7341gpb.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 5.1A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+44.62 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF7341GTRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF7341GTRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 55 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.043 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V, MSL: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.043ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.7W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.043ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.7W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRF7341GTRPBF за ціною від 49.89 грн до 173.55 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF7341GTRPBF IRF7341GTRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7341gpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f63e9b1b5f Description: MOSFET 2N-CH 55V 5.1A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+51.13 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341GTRPBF IRF7341GTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7341g-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 5.1A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 112000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+64.53 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341GTRPBF IRF7341GTRPBF Виробник : INFINEON IRSDS19144-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7341GTRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 55 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.043 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.043ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.7W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.043ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.7W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+105.01 грн
250+85.47 грн
1000+57.37 грн
2000+50.38 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341GTRPBF IRF7341GTRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf7341gpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f63e9b1b5f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 5.1A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 5.1A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3866 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+142.46 грн
10+92.22 грн
17+55.18 грн
45+52.16 грн
2000+49.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341GTRPBF IRF7341GTRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7341gpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f63e9b1b5f Description: MOSFET 2N-CH 55V 5.1A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 12466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+149.14 грн
10+92.14 грн
100+74.57 грн
500+56.79 грн
1000+56.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341GTRPBF IRF7341GTRPBF Виробник : INFINEON IRSDS19144-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7341GTRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 55 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.043 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.043ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.7W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.043ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.7W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+164.44 грн
50+105.01 грн
250+85.47 грн
1000+57.37 грн
2000+50.38 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341GTRPBF IRF7341GTRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF7341G_DataSheet_v01_01_EN-3363043.pdf MOSFETs PLANAR 40<-<100V
на замовлення 34651 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+173.55 грн
10+110.16 грн
25+89.98 грн
100+76.19 грн
250+74.02 грн
500+60.96 грн
1000+56.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341GTRPBF IRF7341GTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7341g-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 5.1A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341GTRPBF IRF7341GTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7341g-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 5.1A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.