IRF7341PBF
Код товару: 26458
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: IR
Корпус: SO-8
Uds,V: 55 V
Idd,A: 4,7 A
Rds(on), Ohm: 0,050 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 740/24
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRF7341PBF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| IRF7341PBF | Виробник : International Rectifier |
MOSFET 2N-CH 55V 4.7A SOIC-8 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||
| IRF7341PBF | Виробник : International Rectifier/Infineon |
2N-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 4,7 А, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 740 @ 25, Qg, нКл = 36 @ 10 В, Rds = 50 мОм @ 4,7 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: кількість в упаковці: 95 шт |
товару немає в наявності |
||
 |
IRF7341PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8SO Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Discontinued at Digi-Key |
товару немає в наявності |
|
 |
IRF7341PBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs 55V DUAL N-CH HEXFET 20V VGS -55V BVDSS |
товару немає в наявності |