IRF7341PBF
Код товару: 26458
Виробник: IRКорпус: SO-8
Uds,V: 55 V
Idd,A: 4,7 A
Rds(on), Ohm: 0,050 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 740/24
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 20.00 грн |
| 10+ | 18.00 грн |
| 100+ | 16.20 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRF7341PBF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF7341PBF | Виробник : International Rectifier HiRel Products |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC Tube |
товару немає в наявності |
|
|
|
IRF7341PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC Tube |
товару немає в наявності |
|
 |
IRF7341PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8SO Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Discontinued at Digi-Key |
товару немає в наявності |
|
 |
IRF7341PBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs 55V DUAL N-CH HEXFET 20V VGS -55V BVDSS |
товару немає в наявності |