IRF7341PBF Infineon


irf7341pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f64f031b63 Виробник: Infineon
Транз. Пол. ММ 2 N-Channel (Dual) MOSFET SOIC8 Udss=55V; Id=4,7A; Pdmax=2W; Rds=50 mOhm @ 4.7A, 10V
на замовлення 206 шт:

термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+26.14 грн
12+ 22.25 грн
Мінімальне замовлення: 11
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF7341PBF Infineon

Description: MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8SO, Packaging: Tube, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2W, Drain to Source Voltage (Vdss): 55V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SO, Part Status: Discontinued at Digi-Key.

Інші пропозиції IRF7341PBF

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRF7341PBF IRF7341PBF
Код товару: 26458
Виробник : IR IRF7341PBF.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 55 V
Idd,A: 4,7 A
Rds(on), Ohm: 0,050 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 740/24
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
товар відсутній
IRF7341PBF IRF7341PBF Виробник : International Rectifier HiRel Products infineon-irf7341-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC Tube
товар відсутній
IRF7341PBF IRF7341PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7341-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC Tube
товар відсутній
IRF7341PBF IRF7341PBF Виробник : Infineon Technologies irf7341pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f64f031b63 Description: MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товар відсутній
IRF7341PBF IRF7341PBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF7341_DataSheet_v01_01_EN-1732518.pdf MOSFET 55V DUAL N-CH HEXFET 20V VGS -55V BVDSS
товар відсутній