IRF7341PBF

IRF7341PBF


IRF7341PBF.pdf
Код товару: 26458
Виробник: IR
Корпус: SO-8
Uds,V: 55 V
Idd,A: 4,7 A
Rds(on), Ohm: 0,050 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 740/24
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
товару немає в наявності

Кількість Ціна
1+20.00 грн
10+18.00 грн
100+16.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRF7341PBF

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF7341PBF IRF7341PBF Виробник : International Rectifier HiRel Products infineon-irf7341-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341PBF IRF7341PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7341-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341PBF IRF7341PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7341-datasheet-en.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f64f031b63 Description: MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341PBF IRF7341PBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF7341_DataSheet_v01_01_EN-1732518.pdf MOSFETs 55V DUAL N-CH HEXFET 20V VGS -55V BVDSS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.