IRF7341PBF Infineon
Виробник: InfineonТранз. Пол. ММ 2 N-Channel (Dual) MOSFET SOIC8 Udss=55V; Id=4,7A; Pdmax=2W; Rds=50 mOhm @ 4.7A, 10V
на замовлення 6 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 48.22 грн |
| 10+ | 26.98 грн |
| 100+ | 23.74 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF7341PBF Infineon
Description: MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8SO, Packaging: Tube, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2W, Drain to Source Voltage (Vdss): 55V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SO, Part Status: Discontinued at Digi-Key.
Інші пропозиції IRF7341PBF за ціною від 16.20 грн до 20.00 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF7341PBF Код товару: 26458
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : IR |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 55 V Idd,A: 4,7 A Rds(on), Ohm: 0,050 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 740/24 Примітка: Два транзистори в одному корпусі Монтаж: SMD |
товару немає в наявності
|
|
||||||||
 |
IRF7341PBF | Виробник : International Rectifier HiRel Products |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||
|
|
IRF7341PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
IRF7341PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8SO Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Discontinued at Digi-Key |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
IRF7341PBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs 55V DUAL N-CH HEXFET 20V VGS -55V BVDSS |
товару немає в наявності |