Продукція > UMW > IRF7341TR
IRF7341TR

IRF7341TR UMW


f37a0ee898830db7a6e80c72738a1d95.pdf Виробник: UMW
Description: MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 25V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+20.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF7341TR UMW

Description: MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8SOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Drain to Source Voltage (Vdss): 55V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 25V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOP, Mounting Type: Surface Mount, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.7A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V.

Інші пропозиції IRF7341TR за ціною від 14.89 грн до 82.76 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF7341TR IRF7341TR Виробник : UMW f37a0ee898830db7a6e80c72738a1d95.pdf Description: MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 25V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
на замовлення 267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+82.76 грн
10+49.97 грн
100+32.78 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341TR Виробник : JGSEMI f37a0ee898830db7a6e80c72738a1d95.pdf Transistor 2xN-Channel MOSFET; 60V; 20V; 50mOhm; 6A; 1,5W; -55°C ~ 125°C; Equivalent: IRF7341; IRF7341TR; SP001554204; SP001577408; IRF7341TR JGSEMI TIRF7341 JGS
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+14.89 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341TR Виробник : UMW f37a0ee898830db7a6e80c72738a1d95.pdf Transistor 2xN-Channel MOSFET; 55V; 20V; 45mOhm; 4,7A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7341; IRF7341TR; SP001554204; SP001577408; IRF7341TR UMW TIRF7341 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+16.01 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341TR Виробник : International Rectifier f37a0ee898830db7a6e80c72738a1d95.pdf Transistor 2xN-Channel MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm; 4,7A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7341; IRF7341TR; SP001554204; SP001577408; IRF7341 TIRF7341
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 583 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+19.03 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341TR f37a0ee898830db7a6e80c72738a1d95.pdf
на замовлення 16549 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.