Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF7341TRPBFXTMA1
IRF7341TRPBFXTMA1

IRF7341TRPBFXTMA1 Infineon Technologies

infineon-irf7341-datasheet-en.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f64f031b63
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8DSO-902
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8-902
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4000+22.86 грн
8000+20.45 грн
12000+19.65 грн
20000+17.61 грн
28000+17.22 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF7341TRPBFXTMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF7341TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 55 V, 4.7 A, 0.043 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.7A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SO-8, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.043ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IRF7341TRPBFXTMA1 за ціною від 19.59 грн до 114.24 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IRF7341TRPBFXTMA1 IRF7341TRPBFXTMA1 INFINEON 3980139.pdf Description: INFINEON - IRF7341TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 55 V, 4.7 A, 0.043 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.043ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4064 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+43.75 грн
500+31.76 грн
1000+26.64 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341TRPBFXTMA1 IRF7341TRPBFXTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-irf7341-datasheet-en.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f64f031b63 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 4.7A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 4.7A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1501 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+83.14 грн
10+48.19 грн
100+31.82 грн
500+24.77 грн
1000+22.48 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341TRPBFXTMA1 IRF7341TRPBFXTMA1 Infineon Technologies infineon-irf7341-datasheet-en.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f64f031b63 Description: MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8DSO-902
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8-902
на замовлення 29899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+91.98 грн
10+55.89 грн
100+36.86 грн
500+26.94 грн
1000+24.48 грн
2000+22.40 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341TRPBFXTMA1 IRF7341TRPBFXTMA1 Infineon Technologies Infineon_IRF7341_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs PLANAR FET
на замовлення 1727 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+97.03 грн
10+54.39 грн
100+33.55 грн
500+26.85 грн
1000+24.39 грн
2000+22.27 грн
4000+19.59 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341TRPBFXTMA1 IRF7341TRPBFXTMA1 INFINEON 3980139.pdf Description: INFINEON - IRF7341TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 55 V, 4.7 A, 0.043 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.043ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4064 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+106.08 грн
13+66.44 грн
100+43.75 грн
500+31.76 грн
1000+26.64 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341TRPBFXTMA1 Infineon Technologies irf7341.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 180000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+26.98 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341TRPBFXTMA1 Infineon Technologies irf7341.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
870+40.68 грн
1000+37.51 грн
Мінімальне замовлення: 870 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341TRPBFXTMA1 Infineon Technologies irf7341.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
192+73.83 грн
194+73.08 грн
287+49.36 грн
290+47.13 грн
500+34.54 грн
1000+22.47 грн
Мінімальне замовлення: 192 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341TRPBFXTMA1 Infineon Technologies irf7341.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+114.24 грн
11+73.83 грн
25+73.08 грн
100+47.60 грн
250+43.63 грн
500+33.16 грн
1000+22.47 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341TRPBFXTMA1 3980139.pdf
IRF7341TRPBFXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7341TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 55 V, 4.7 A, 0.043 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.043ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4064 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+43.75 грн
500+31.76 грн
1000+26.64 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341TRPBFXTMA1 infineon-irf7341-datasheet-en.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f64f031b63
IRF7341TRPBFXTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 4.7A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 4.7A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1501 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
6+83.14 грн
10+48.19 грн
100+31.82 грн
500+24.77 грн
1000+22.48 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341TRPBFXTMA1 infineon-irf7341-datasheet-en.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f64f031b63
IRF7341TRPBFXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8DSO-902
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8-902
на замовлення 29899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+91.98 грн
10+55.89 грн
100+36.86 грн
500+26.94 грн
1000+24.48 грн
2000+22.40 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341TRPBFXTMA1 Infineon_IRF7341_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRF7341TRPBFXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs PLANAR FET
на замовлення 1727 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
4+97.03 грн
10+54.39 грн
100+33.55 грн
500+26.85 грн
1000+24.39 грн
2000+22.27 грн
4000+19.59 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341TRPBFXTMA1 3980139.pdf
IRF7341TRPBFXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7341TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 55 V, 4.7 A, 0.043 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.043ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4064 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8+106.08 грн
13+66.44 грн
100+43.75 грн
500+31.76 грн
1000+26.64 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341TRPBFXTMA1 irf7341.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 180000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4000+26.98 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341TRPBFXTMA1 irf7341.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
870+40.68 грн
1000+37.51 грн
Мінімальне замовлення: 870 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341TRPBFXTMA1 irf7341.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
192+73.83 грн
194+73.08 грн
287+49.36 грн
290+47.13 грн
500+34.54 грн
1000+22.47 грн
Мінімальне замовлення: 192 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341TRPBFXTMA1 irf7341.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+114.24 грн
11+73.83 грн
25+73.08 грн
100+47.60 грн
250+43.63 грн
500+33.16 грн
1000+22.47 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.