Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF7341TRPBFXTMA1
IRF7341TRPBFXTMA1

IRF7341TRPBFXTMA1 Infineon Technologies

infineon-irf7341-datasheet-en.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f64f031b63 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8DSO-902
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8-902
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+22.94 грн
8000+20.52 грн
12000+20.32 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF7341TRPBFXTMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF7341TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 55 V, 4.7 A, 0.043 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.7A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SO-8, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.043ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRF7341TRPBFXTMA1 за ціною від 21.28 грн до 129.00 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF7341TRPBFXTMA1 IRF7341TRPBFXTMA1 Виробник : INFINEON 3980139.pdf Description: INFINEON - IRF7341TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 55 V, 4.7 A, 0.043 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.043ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+55.99 грн
500+40.43 грн
1000+33.71 грн
5000+29.72 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341TRPBFXTMA1 IRF7341TRPBFXTMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES infineon-irf7341-datasheet-en.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f64f031b63 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 4.7A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 4.7A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2295 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+90.48 грн
10+53.99 грн
100+36.77 грн
250+31.86 грн
500+28.70 грн
1000+25.95 грн
2000+23.46 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341TRPBFXTMA1 IRF7341TRPBFXTMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7341-datasheet-en.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f64f031b63 Description: MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8DSO-902
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8-902
на замовлення 34663 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+95.89 грн
10+57.73 грн
100+38.14 грн
500+27.88 грн
1000+25.33 грн
2000+23.34 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341TRPBFXTMA1 IRF7341TRPBFXTMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES infineon-irf7341-datasheet-en.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f64f031b63 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 4.7A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 4.7A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2295 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
3+108.58 грн
10+67.28 грн
100+44.12 грн
250+38.23 грн
500+34.44 грн
1000+31.14 грн
2000+28.15 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341TRPBFXTMA1 IRF7341TRPBFXTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF7341_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs PLANAR 40<-<100V
на замовлення 6004 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+116.46 грн
10+73.47 грн
100+43.36 грн
500+33.62 грн
1000+30.43 грн
2000+28.43 грн
4000+26.75 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341TRPBFXTMA1 IRF7341TRPBFXTMA1 Виробник : INFINEON 3980139.pdf Description: INFINEON - IRF7341TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 55 V, 4.7 A, 0.043 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.043ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+129.00 грн
11+82.51 грн
100+55.99 грн
500+40.43 грн
1000+33.71 грн
5000+29.72 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341TRPBFXTMA1 Виробник : Infineon Technologies irf7341.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 236000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+21.28 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341TRPBFXTMA1 Виробник : Infineon Technologies irf7341.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+25.57 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341TRPBFXTMA1 Виробник : Infineon Technologies irf7341.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+27.40 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341TRPBFXTMA1 Виробник : Infineon Technologies irf7341.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 236000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+27.79 грн
8000+25.74 грн
12000+25.47 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341TRPBFXTMA1 Виробник : Infineon Technologies irf7341.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
870+36.36 грн
1000+33.53 грн
Мінімальне замовлення: 870
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341TRPBFXTMA1 Виробник : Infineon Technologies irf7341.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 3998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
194+65.18 грн
288+44.04 грн
290+43.61 грн
500+33.26 грн
1000+25.87 грн
3000+22.13 грн
Мінімальне замовлення: 194
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341TRPBFXTMA1 Виробник : Infineon Technologies irf7341.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 3998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+109.83 грн
11+70.54 грн
25+69.84 грн
100+45.51 грн
250+41.72 грн
500+31.68 грн
1000+26.61 грн
3000+23.72 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341TRPBFXTMA1 Виробник : Infineon Technologies irf7341.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.