IRF7341TRPBFXTMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8DSO-902
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8-902
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4000+ | 26.84 грн |
| 8000+ | 19.32 грн |
| 12000+ | 19.13 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF7341TRPBFXTMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF7341TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 55 V, 4.7 A, 0.043 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.7A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SO-8, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.043ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRF7341TRPBFXTMA1 за ціною від 18.25 грн до 123.04 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF7341TRPBFXTMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7341TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 55 V, 4.7 A, 0.043 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.7A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SO-8 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.043ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2920 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF7341TRPBFXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8DSO-902 Packaging: Cut Tape (CT) Part Status: Active Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: PG-DSO-8-902 |
на замовлення 36566 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF7341TRPBFXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs PLANAR 40<-<100V |
на замовлення 3739 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF7341TRPBFXTMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7341TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 55 V, 4.7 A, 0.043 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.7A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SO-8 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.043ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2920 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IRF7341TRPBFXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 256000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IRF7341TRPBFXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 256000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IRF7341TRPBFXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IRF7341TRPBFXTMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 4.7A; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 4.7A Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 2570 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IRF7341TRPBFXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 13 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IRF7341TRPBFXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| IRF7341TRPBFXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R |
товару немає в наявності |