Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF7341TRPBFXTMA1
IRF7341TRPBFXTMA1

IRF7341TRPBFXTMA1 Infineon Technologies

irf7341pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f64f031b63 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8DSO-902
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8-902
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+28.56 грн
8000+26.95 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF7341TRPBFXTMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF7341TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 55 V, 4.7 A, 0.043 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.7A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SO-8, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.043ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRF7341TRPBFXTMA1 за ціною від 19.18 грн до 120.73 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF7341TRPBFXTMA1 IRF7341TRPBFXTMA1 Виробник : INFINEON 3980139.pdf Description: INFINEON - IRF7341TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 55 V, 4.7 A, 0.043 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.043ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2839 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+51.54 грн
500+38.76 грн
1000+32.18 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341TRPBFXTMA1 IRF7341TRPBFXTMA1 Виробник : Infineon Technologies irf7341pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f64f031b63 Description: MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8DSO-902
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8-902
на замовлення 38314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+106.38 грн
10+65.59 грн
100+44.43 грн
500+32.40 грн
1000+29.31 грн
2000+27.36 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341TRPBFXTMA1 IRF7341TRPBFXTMA1 Виробник : INFINEON 3980139.pdf Description: INFINEON - IRF7341TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 55 V, 4.7 A, 0.043 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.043ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2839 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+118.55 грн
11+76.07 грн
100+51.54 грн
500+38.76 грн
1000+32.18 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341TRPBFXTMA1 IRF7341TRPBFXTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF7341_DataSheet_v01_01_EN-3223901.pdf MOSFETs PLANAR 40<-<100V
на замовлення 2340 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+120.73 грн
10+76.13 грн
100+44.84 грн
500+36.33 грн
1000+32.66 грн
2000+30.24 грн
4000+28.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341TRPBFXTMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf7341pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f64f031b63 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2
Type of transistor: N-MOSFET x2
на замовлення 176000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+19.18 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341TRPBFXTMA1 Виробник : Infineon Technologies irf7341.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 176000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+25.87 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341TRPBFXTMA1 Виробник : Infineon Technologies irf7341.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 176000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+28.56 грн
8000+28.28 грн
12000+21.99 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341TRPBFXTMA1 Виробник : Infineon Technologies irf7341.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 3035 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
166+73.57 грн
176+69.40 грн
242+50.41 грн
250+47.85 грн
500+35.16 грн
1000+28.59 грн
3000+21.29 грн
Мінімальне замовлення: 166
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341TRPBFXTMA1 Виробник : Infineon Technologies irf7341.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 3035 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+104.27 грн
10+68.32 грн
25+64.45 грн
100+45.14 грн
250+41.14 грн
500+31.34 грн
1000+26.54 грн
3000+19.77 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341TRPBFXTMA1 Виробник : Infineon Technologies irf7341.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341TRPBFXTMA1 Виробник : Infineon Technologies irf7341.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341TRPBFXTMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf7341pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f64f031b63 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 4.7A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 4.7A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.