Продукція > Транзистори > Польові P-канальні > IRF7342D2PBF

IRF7342D2PBF

Код товару: 28747

Додати до обраних Обраний товар

Виробник: IR
Корпус: SO-8
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Id, А: 3,4 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,105 Ом
Примітка: 2P
Монтаж: SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Інші пропозиції IRF7342D2PBF

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна без ПДВ
IRF7342D2PBF	Infineon Technologies	Description: MOSFET P-CH 55V 3.4A 8SO Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V FET Feature: Schottky Diode (Isolated) Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 25 V	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
IRF7342D2PBF	International Rectifier	MOSFET P-Channe/-55V/3,4A/0,105 Ohm/SO-8 Транзистори	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IRF7342D2PBF	Infineon Technologies	MOSFET MOSFT PCh w/Schttky -3.4A 105mOhm 26nC	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
IRF7342D2PBF	INFINEON	Description: INFINEON - IRF7342D2PBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 3.4 A, 0.105 ohm, SOIC, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55 Dauer-Drainstrom Id: 3.4 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 2 Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Wandlerpolarität: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.105 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 1 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.

IRF7342D2PBF

Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 3.4A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRF7342D2PBF

Виробник: International Rectifier
MOSFET P-Channe/-55V/3,4A/0,105 Ohm/SO-8 Транзистори

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRF7342D2PBF

Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT PCh w/Schttky -3.4A 105mOhm 26nC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRF7342D2PBF

Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7342D2PBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 3.4 A, 0.105 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55
Dauer-Drainstrom Id: 3.4
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.105
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.