IRF7342D2PBF
Код товару: 28747
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: IR
Корпус: SO-8
Uds,V: 55 V
Id,A: 3,4 A
Rds(on),Om: 0,105 Ohm
Монтаж: SMD
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRF7342D2PBF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| IRF7342D2PBF | International Rectifier |
MOSFET P-Channe/-55V/3,4A/0,105 Ohm/SO-8 Транзистори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
 |
IRF7342D2PBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 55V 3.4A 8SO Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V FET Feature: Schottky Diode (Isolated) Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
 |
IRF7342D2PBF | Infineon Technologies |
MOSFET MOSFT PCh w/Schttky -3.4A 105mOhm 26nC |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| IRF7342D2PBF |
|
Виробник: International Rectifier
MOSFET P-Channe/-55V/3,4A/0,105 Ohm/SO-8 Транзистори
MOSFET P-Channe/-55V/3,4A/0,105 Ohm/SO-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF7342D2PBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 3.4A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 55V 3.4A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF7342D2PBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT PCh w/Schttky -3.4A 105mOhm 26nC
MOSFET MOSFT PCh w/Schttky -3.4A 105mOhm 26nC
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.