Технічний опис IRF7343QTRPBF IOR
Description: MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8SO, Packaging: Cut Tape (CT), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2W, Drain to Source Voltage (Vdss): 55V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A, 3.4A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SO, Part Status: Obsolete.
Інші пропозиції IRF7343QTRPBF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| IRF7343QTRPBF | Виробник : IOR |
 |
на замовлення 32500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| IRF7343QTRPBF | Виробник : IRF |
09+ |
на замовлення 12043 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
IRF7343QTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N/P-CH Si 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC T/R |
товару немає в наявності |
|
 |
IRF7343QTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A, 3.4A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Obsolete |
товару немає в наявності |