IRF7343TRPBF
Код товару: 180205
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: IR
Корпус: SOIC-8
Uds,V: 55 V
Idd,A: 4,7/3,4 A
Rds(on), Ohm: 0,043/0,095 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 740/690/24/26
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF7343TRPBF IR
- MOSFET
- Transistor Type:MOSFET
- Transistor Polarity:Dual N/P Channel
- Drain Source Voltage, Vds:55V
- Continuous Drain Current, Id:4.7A
- On Resistance, Rds(on):50mohm
- Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V
- Package/Case:8-SOIC
Інші пропозиції IRF7343TRPBF за ціною від 23.01 грн до 126.09 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF7343TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 16171 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRF7343TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A, 3.4A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active |
на замовлення 43916 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRF7343TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 152000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRF7343TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 152000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRF7343TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 6999 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRF7343TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 1140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRF7343TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 3986 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRF7343TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 55/-55V; 4.7/-3.4A; 2W; SO8 Case: SO8 Mounting: SMD Drain-source voltage: 55/-55V Drain current: 4.7/-3.4A On-state resistance: 50/105mΩ Power dissipation: 2W Gate-source voltage: ±20V Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement Type of transistor: N/P-MOSFET Kind of package: reel Polarisation: unipolar |
на замовлення 7780 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRF7343TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A, 3.4A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active |
на замовлення 44415 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRF7343TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT DUAL N/PCh 55V 4.7A |
на замовлення 24541 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRF7343TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7343TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 55 V, 55 V, 4.7 A, 4.7 A, 0.043 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V MSL: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.7A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.043ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.043ohm productTraceability: No Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 78690 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRF7343TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 1140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| IRF7343TRPBF | Виробник : International Rectifier/Infineon |
Транзистор польовий N+P, Udss, В = 55, Id = 4,7 А, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 740 @ 25, Qg, нКл = 36 @ 10 В, Rds = 50 мОм @ 4,7 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА, Id2 = 3,4 А,... Група товару: Транзистори Ко кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 790 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
|
|
IRF7343TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
| IRF7343TRPBF | Виробник : International Rectifier |
MOSFET N/P-CH 55V SOIC-8 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |