Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRF7343TRPBF
IRF7343TRPBF

IRF7343TRPBF

Infineon_IRF7343_DataSheet_v01_01_EN-1732495.pdf
Код товару: 180205
Додати до обраних Обраний товар

Виробник: IR
Корпус: SOIC-8
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Idd, А: 4,7/3,4 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,043/0,095 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 740/690/24/26
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
КількістьЦіна без ПДВ
1+21.00 грн
10+18.90 грн
100+16.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF7343TRPBF IR

  • MOSFET
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:Dual N/P Channel
  • Drain Source Voltage, Vds:55V
  • Continuous Drain Current, Id:4.7A
  • On Resistance, Rds(on):50mohm
  • Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V
  • Package/Case:8-SOIC

Інші пропозиції IRF7343TRPBF за ціною від 22.88 грн до 115.85 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRF7343TRPBF IRF7343TRPBF Infineon Technologies infineon-irf7343-datasheet-en.pdf description Description: MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A, 3.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 53598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+26.51 грн
12000+22.88 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7343TRPBF IRF7343TRPBF Infineon Technologies irf7343.pdf description Trans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+34.11 грн
12000+31.34 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7343TRPBF IRF7343TRPBF Infineon Technologies irf7343.pdf description Trans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+34.11 грн
12000+31.34 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7343TRPBF IRF7343TRPBF Infineon Technologies irf7343.pdf description Trans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 264000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+34.64 грн
12000+31.84 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7343TRPBF IRF7343TRPBF Infineon Technologies irf7343.pdf description Trans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 264000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+34.71 грн
12000+31.89 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7343TRPBF IRF7343TRPBF Infineon Technologies irf7343.pdf description Trans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 4999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
887+39.98 грн
1000+36.88 грн
Мінімальне замовлення: 887 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7343TRPBF IRF7343TRPBF Infineon Technologies irf7343.pdf description Trans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 3986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
158+90.11 грн
Мінімальне замовлення: 158 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7343TRPBF IRF7343TRPBF Infineon Technologies infineon-irf7343-datasheet-en.pdf description Description: MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A, 3.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 55278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+104.85 грн
10+63.64 грн
50+47.44 грн
100+39.63 грн
500+31.02 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7343TRPBF IRF7343TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7343pbf.pdf description Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 55/-55V; 4.7/-3.4A; 2W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Drain current: 4.7/-3.4A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 55/-55V
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50/105mΩ
Technology: HEXFET®
на замовлення 5552 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+108.28 грн
10+65.56 грн
100+43.13 грн
250+37.31 грн
500+33.82 грн
1000+30.83 грн
2000+28.34 грн
4000+26.34 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7343TRPBF IRF7343TRPBF Infineon Technologies irf7343.pdf description Trans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 16171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+115.15 грн
10+80.65 грн
100+57.10 грн
500+44.36 грн
1000+34.93 грн
2500+29.23 грн
12000+27.00 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7343TRPBF IRF7343TRPBF Infineon Technologies irf7343.pdf description Trans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 16171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
123+115.85 грн
175+81.14 грн
247+57.44 грн
500+44.63 грн
1000+35.14 грн
2500+29.41 грн
12000+27.16 грн
Мінімальне замовлення: 123 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7343TRPBF IRF7343TRPBF INFINEON INFN-S-A0002542220-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF7343TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 55 V, 55 V, 4.7 A, 4.7 A, 0.043 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.043ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.043ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 48293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7343TRPBF International Rectifier/Infineon irf7343_IRF.pdf description Транзистор польовий N+P, Udss, В = 55, Id = 4,7 А, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 740 @ 25, Qg, нКл = 36 @ 10 В, Rds = 50 мОм @ 4,7 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА, Id2 = 3,4 А,... Транзистори Корпус: SOICN-8
кількість в упаковці: 4000 шт
на замовлення 790 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
4000+27.79 грн
Мінімальне замовлення: 790 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7343TRPBF description infineon-irf7343-datasheet-en.pdf
IRF7343TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A, 3.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 53598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+26.51 грн
12000+22.88 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7343TRPBF description irf7343.pdf
IRF7343TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+34.11 грн
12000+31.34 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7343TRPBF description irf7343.pdf
IRF7343TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+34.11 грн
12000+31.34 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7343TRPBF description irf7343.pdf
IRF7343TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 264000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+34.64 грн
12000+31.84 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7343TRPBF description irf7343.pdf
IRF7343TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 264000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+34.71 грн
12000+31.89 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7343TRPBF description irf7343.pdf
IRF7343TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 4999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
887+39.98 грн
1000+36.88 грн
Мінімальне замовлення: 887 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7343TRPBF description irf7343.pdf
IRF7343TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 3986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
158+90.11 грн
Мінімальне замовлення: 158 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7343TRPBF description infineon-irf7343-datasheet-en.pdf
IRF7343TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A, 3.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 55278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+104.85 грн
10+63.64 грн
50+47.44 грн
100+39.63 грн
500+31.02 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7343TRPBF description irf7343pbf.pdf
IRF7343TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 55/-55V; 4.7/-3.4A; 2W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Drain current: 4.7/-3.4A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 55/-55V
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50/105mΩ
Technology: HEXFET®
на замовлення 5552 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+108.28 грн
10+65.56 грн
100+43.13 грн
250+37.31 грн
500+33.82 грн
1000+30.83 грн
2000+28.34 грн
4000+26.34 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7343TRPBF description irf7343.pdf
IRF7343TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 16171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+115.15 грн
10+80.65 грн
100+57.10 грн
500+44.36 грн
1000+34.93 грн
2500+29.23 грн
12000+27.00 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7343TRPBF description irf7343.pdf
IRF7343TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 16171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
123+115.85 грн
175+81.14 грн
247+57.44 грн
500+44.63 грн
1000+35.14 грн
2500+29.41 грн
12000+27.16 грн
Мінімальне замовлення: 123 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7343TRPBF description INFN-S-A0002542220-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7343TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7343TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 55 V, 55 V, 4.7 A, 4.7 A, 0.043 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.043ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.043ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 48293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7343TRPBF description irf7343_IRF.pdf
Виробник: International Rectifier/Infineon
Транзистор польовий N+P, Udss, В = 55, Id = 4,7 А, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 740 @ 25, Qg, нКл = 36 @ 10 В, Rds = 50 мОм @ 4,7 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА, Id2 = 3,4 А,... Транзистори Корпус: SOICN-8
кількість в упаковці: 4000 шт
на замовлення 790 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+27.79 грн
Мінімальне замовлення: 790 шт
В кошику  од. на суму  грн.