Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF7343TRPBF
IRF7343TRPBF

IRF7343TRPBF Infineon Technologies

irf7343.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+26.81 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF7343TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF7343TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 55 V, 55 V, 4.7 A, 4.7 A, 0.043 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V, MSL: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.7A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.043ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.043ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRF7343TRPBF за ціною від 16.90 грн до 112.78 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF7343TRPBF IRF7343TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7343.pdf Trans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+28.72 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7343TRPBF IRF7343TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7343-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A, 3.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+28.84 грн
8000+25.92 грн
12000+25.90 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7343TRPBF IRF7343TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7343.pdf Trans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+31.80 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7343TRPBF IRF7343TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7343.pdf Trans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 52000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+33.72 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7343TRPBF IRF7343TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7343.pdf Trans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+39.92 грн
1000+37.68 грн
2000+35.15 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7343TRPBF IRF7343TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7343.pdf Trans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+42.33 грн
1000+39.96 грн
2000+37.27 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7343TRPBF IRF7343TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7343.pdf Trans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 6999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
641+47.61 грн
1000+43.91 грн
Мінімальне замовлення: 641
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7343TRPBF IRF7343TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221A084E32E22F1A303005056AB0C4F&compId=irf7343pbf.pdf?ci_sign=67f4a0e09b642d9ef37643bc443a2be3f815f7f4 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 55/-55V; 4.7/-3.4A; 2W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55/-55V
Drain current: 4.7/-3.4A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50/105mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 6613 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+93.99 грн
10+69.42 грн
25+58.15 грн
42+22.69 грн
113+21.42 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7343TRPBF IRF7343TRPBF
Код товару: 180205
Додати до обраних Обраний товар

Виробник : IR Infineon_IRF7343_DataSheet_v01_01_EN-1732495.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOIC-8
Uds,V: 55 V
Idd,A: 4,7/3,4 A
Rds(on), Ohm: 0,043/0,095 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 740/690/24/26
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+21.00 грн
10+18.90 грн
100+16.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7343TRPBF IRF7343TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7343.pdf Trans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 7788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
122+100.05 грн
170+71.82 грн
207+59.05 грн
500+50.28 грн
1000+45.75 грн
Мінімальне замовлення: 122
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7343TRPBF IRF7343TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7343.pdf Trans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 3990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
122+100.39 грн
128+95.90 грн
250+92.05 грн
500+85.56 грн
1000+76.64 грн
2500+71.40 грн
Мінімальне замовлення: 122
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7343TRPBF IRF7343TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0002542220-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7343TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 55 V, 55 V, 4.7 A, 4.7 A, 0.043 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.043ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.043ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 84134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+101.68 грн
13+69.12 грн
100+44.94 грн
500+31.81 грн
1000+27.68 грн
5000+23.95 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7343TRPBF IRF7343TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon-IRF7343-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs MOSFT DUAL N/PCh 55V 4.7A
на замовлення 34457 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+103.96 грн
10+70.42 грн
25+59.48 грн
100+39.22 грн
250+39.00 грн
500+31.99 грн
1000+30.16 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7343TRPBF IRF7343TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7343-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A, 3.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 33061 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+112.05 грн
10+68.15 грн
100+44.06 грн
500+32.97 грн
1000+30.61 грн
2000+29.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7343TRPBF IRF7343TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221A084E32E22F1A303005056AB0C4F&compId=irf7343pbf.pdf?ci_sign=67f4a0e09b642d9ef37643bc443a2be3f815f7f4 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 55/-55V; 4.7/-3.4A; 2W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55/-55V
Drain current: 4.7/-3.4A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50/105mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6613 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+112.78 грн
10+86.51 грн
25+69.79 грн
42+27.23 грн
113+25.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7343TRPBF IRF7343TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7343.pdf Trans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 7999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7343TRPBF IRF7343TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7343.pdf Trans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7343TRPBF IRF7343TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7343.pdf Trans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.