Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF7343TRPBF
IRF7343TRPBF

IRF7343TRPBF Infineon Technologies

irf7343.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+25.11 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF7343TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF7343TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 55 V, 55 V, 4.7 A, 4.7 A, 0.043 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V, MSL: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.7A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.043ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.043ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRF7343TRPBF за ціною від 16.90 грн до 111.14 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF7343TRPBF IRF7343TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7343.pdf Trans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+27.04 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7343TRPBF IRF7343TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7343.pdf Trans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+28.42 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7343TRPBF IRF7343TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7343pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f68c1a1b73 Description: MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A, 3.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+28.70 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7343TRPBF IRF7343TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7343.pdf Trans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+30.82 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7343TRPBF IRF7343TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7343.pdf Trans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 8498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
314+38.87 грн
328+37.16 грн
500+33.84 грн
1000+32.32 грн
4000+24.34 грн
8000+22.60 грн
Мінімальне замовлення: 314
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7343TRPBF IRF7343TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7343.pdf Trans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 7788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
266+45.93 грн
300+40.57 грн
316+38.54 грн
500+34.12 грн
1000+31.23 грн
4000+24.41 грн
Мінімальне замовлення: 266
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7343TRPBF IRF7343TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7343.pdf Trans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 714 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+52.43 грн
25+42.09 грн
100+40.19 грн
250+25.62 грн
500+23.62 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7343TRPBF IRF7343TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7343.pdf Trans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 6999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
577+52.77 грн
Мінімальне замовлення: 577
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7343TRPBF IRF7343TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7343.pdf Trans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 714 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
216+56.47 грн
269+45.33 грн
272+44.88 грн
394+29.80 грн
500+26.50 грн
Мінімальне замовлення: 216
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7343TRPBF IRF7343TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7343.pdf Trans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
165+73.95 грн
Мінімальне замовлення: 165
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7343TRPBF IRF7343TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0002542220-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7343TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 55 V, 55 V, 4.7 A, 4.7 A, 0.043 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.043ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.043ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 85685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+80.19 грн
13+66.36 грн
100+52.61 грн
500+40.67 грн
1000+30.41 грн
5000+28.65 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7343TRPBF IRF7343TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf7343pbf.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 55/-55V; 4.7/-3.4A; 2W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55/-55V
Drain current: 4.7/-3.4A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50/105mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2965 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+88.09 грн
10+57.34 грн
41+21.86 грн
113+20.72 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7343TRPBF IRF7343TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF7343_DataSheet_v01_01_EN-3363081.pdf MOSFETs MOSFT DUAL N/PCh 55V 4.7A
на замовлення 16676 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+89.90 грн
10+63.22 грн
100+39.70 грн
500+34.49 грн
1000+34.20 грн
4000+29.65 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7343TRPBF IRF7343TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf7343pbf.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 55/-55V; 4.7/-3.4A; 2W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55/-55V
Drain current: 4.7/-3.4A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50/105mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2965 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+105.71 грн
10+71.45 грн
41+26.24 грн
113+24.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7343TRPBF IRF7343TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7343pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f68c1a1b73 Description: MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A, 3.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 27757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+111.14 грн
10+67.73 грн
100+45.23 грн
500+33.38 грн
1000+30.45 грн
2000+29.60 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7343TRPBF IRF7343TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7343.pdf Trans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 7999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7343TRPBF Виробник : Infineon irf7343pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f68c1a1b73 Транз. Пол. ММ N&P-HEXFET logik SO8 Udss=(55; -55)V; Id=(+4,7; -3,4)A; Pdmax=2W; Rds=(0,05; 0,105) Ohm
на замовлення 3464 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
9+34.78 грн
10+26.91 грн
100+24.76 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7343TRPBF IRF7343TRPBF
Код товару: 180205
Додати до обраних Обраний товар

Виробник : IR Infineon_IRF7343_DataSheet_v01_01_EN-1732495.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOIC-8
Uds,V: 55 V
Idd,A: 4,7/3,4 A
Rds(on), Ohm: 0,043/0,095 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 740/690/24/26
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+21.00 грн
10+18.90 грн
100+16.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7343TRPBF IRF7343TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7343.pdf Trans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.