Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF7343TRPBF
IRF7343TRPBF

IRF7343TRPBF Infineon Technologies

infineon-irf7343-datasheet-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A, 3.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+30.07 грн
8000+27.01 грн
12000+27.00 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF7343TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF7343TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 55 V, 55 V, 4.7 A, 4.7 A, 0.043 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V, MSL: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.7A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.043ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.043ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRF7343TRPBF за ціною від 16.90 грн до 137.70 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF7343TRPBF IRF7343TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7343.pdf Trans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 8443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
399+32.79 грн
488+26.86 грн
502+26.08 грн
1000+24.31 грн
4000+22.19 грн
Мінімальне замовлення: 399
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7343TRPBF IRF7343TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7343.pdf Trans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 180000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+35.11 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7343TRPBF IRF7343TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7343.pdf Trans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 180000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+37.70 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7343TRPBF IRF7343TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7343.pdf Trans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+40.23 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7343TRPBF IRF7343TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7343.pdf Trans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+43.20 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7343TRPBF IRF7343TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7343.pdf Trans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 6999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
641+51.05 грн
1000+47.08 грн
Мінімальне замовлення: 641
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7343TRPBF IRF7343TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7343.pdf Trans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 7788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
124+105.54 грн
182+71.96 грн
224+58.44 грн
500+45.42 грн
1000+41.04 грн
4000+31.62 грн
Мінімальне замовлення: 124
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7343TRPBF IRF7343TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7343.pdf Trans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+107.39 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7343TRPBF IRF7343TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7343.pdf Trans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 3990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
122+107.65 грн
128+102.83 грн
250+98.71 грн
500+91.75 грн
1000+82.18 грн
2500+76.56 грн
Мінімальне замовлення: 122
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7343TRPBF IRF7343TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7343-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A, 3.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 34735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+116.52 грн
10+71.07 грн
100+47.40 грн
500+34.97 грн
1000+31.91 грн
2000+31.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7343TRPBF IRF7343TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0002542220-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7343TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 55 V, 55 V, 4.7 A, 4.7 A, 0.043 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.043ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.043ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 82310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+123.53 грн
12+78.59 грн
100+50.75 грн
500+35.66 грн
1000+30.61 грн
5000+24.24 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7343TRPBF IRF7343TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon-IRF7343-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs MOSFT DUAL N/PCh 55V 4.7A
на замовлення 6003 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+127.54 грн
10+79.74 грн
100+45.40 грн
500+35.67 грн
1000+33.11 грн
2000+31.68 грн
4000+27.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7343TRPBF IRF7343TRPBF
Код товару: 180205
Додати до обраних Обраний товар

Виробник : IR Infineon_IRF7343_DataSheet_v01_01_EN-1732495.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOIC-8
Uds,V: 55 V
Idd,A: 4,7/3,4 A
Rds(on), Ohm: 0,043/0,095 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 740/690/24/26
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+50.00 грн
10+18.90 грн
100+16.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7343TRPBF IRF7343TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7343.pdf Trans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 7999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7343TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES infineon-irf7343-datasheet-en.pdf IRF7343TRPBF Multi channel transistors
на замовлення 6898 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
3+137.70 грн
42+28.43 грн
115+26.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7343TRPBF IRF7343TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7343.pdf Trans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7343TRPBF IRF7343TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7343.pdf Trans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.