Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF7343TRPBF
IRF7343TRPBF

IRF7343TRPBF Infineon Technologies

infineon-irf7343-datasheet-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A, 3.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+29.65 грн
8000+26.64 грн
12000+26.62 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF7343TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF7343TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 55 V, 55 V, 4.7 A, 4.7 A, 0.043 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V, MSL: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.7A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.043ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.043ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRF7343TRPBF за ціною від 16.90 грн до 123.50 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF7343TRPBF IRF7343TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7343.pdf Trans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 8443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
399+31.03 грн
488+25.41 грн
502+24.67 грн
1000+23.00 грн
4000+21.00 грн
Мінімальне замовлення: 399
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7343TRPBF IRF7343TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7343.pdf Trans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 192000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+32.26 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7343TRPBF IRF7343TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7343.pdf Trans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 192000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+35.61 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7343TRPBF IRF7343TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7343.pdf Trans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+38.05 грн
1000+37.65 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7343TRPBF IRF7343TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7343.pdf Trans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+41.21 грн
1000+40.78 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7343TRPBF IRF7343TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7343.pdf Trans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 6999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
641+48.30 грн
1000+44.54 грн
Мінімальне замовлення: 641
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7343TRPBF IRF7343TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf7343pbf.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 55/-55V; 4.7/-3.4A; 2W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55/-55V
Drain current: 4.7/-3.4A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50/105mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 5971 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+84.94 грн
10+57.39 грн
25+48.29 грн
100+37.35 грн
250+32.11 грн
500+28.97 грн
1000+26.48 грн
2000+24.47 грн
4000+22.78 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7343TRPBF IRF7343TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7343.pdf Trans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 7788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
124+99.84 грн
182+68.08 грн
224+55.29 грн
500+42.97 грн
1000+38.83 грн
4000+29.92 грн
Мінімальне замовлення: 124
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7343TRPBF IRF7343TRPBF
Код товару: 180205
Додати до обраних Обраний товар

Виробник : IR Infineon_IRF7343_DataSheet_v01_01_EN-1732495.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOIC-8
Uds,V: 55 V
Idd,A: 4,7/3,4 A
Rds(on), Ohm: 0,043/0,095 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 740/690/24/26
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+40.00 грн
10+18.90 грн
100+16.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7343TRPBF IRF7343TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7343.pdf Trans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+101.60 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7343TRPBF IRF7343TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7343.pdf Trans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 3990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
122+101.84 грн
128+97.29 грн
250+93.38 грн
500+86.80 грн
1000+77.75 грн
2500+72.43 грн
Мінімальне замовлення: 122
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7343TRPBF IRF7343TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf7343pbf.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 55/-55V; 4.7/-3.4A; 2W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55/-55V
Drain current: 4.7/-3.4A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50/105mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5971 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+101.93 грн
10+71.51 грн
25+57.95 грн
100+44.81 грн
250+38.54 грн
500+34.77 грн
1000+31.78 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7343TRPBF IRF7343TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7343-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A, 3.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 43098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+114.51 грн
10+70.10 грн
100+46.75 грн
500+34.49 грн
1000+31.47 грн
2000+30.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7343TRPBF IRF7343TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0002542220-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7343TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 55 V, 55 V, 4.7 A, 4.7 A, 0.043 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.043ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.043ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 82470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+119.61 грн
12+76.10 грн
100+49.15 грн
500+34.53 грн
1000+29.64 грн
5000+23.48 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7343TRPBF IRF7343TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon-IRF7343-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs MOSFT DUAL N/PCh 55V 4.7A
на замовлення 6042 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+123.50 грн
10+77.22 грн
100+43.35 грн
500+34.54 грн
1000+32.07 грн
2000+30.21 грн
4000+26.50 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7343TRPBF IRF7343TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7343.pdf Trans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 7999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7343TRPBF IRF7343TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7343.pdf Trans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7343TRPBF IRF7343TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7343.pdf Trans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.