Продукція > UMW > IRF7351TR
IRF7351TR

IRF7351TR UMW

6ae0be5e559461cac17a609b04b5392e.pdf Виробник: UMW
Description: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+22.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF7351TR UMW

Description: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2W (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330pF @ 30V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 8A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA, Supplier Device Package: 8-SOP.

Інші пропозиції IRF7351TR за ціною від 84.40 грн до 84.40 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF7351TR Виробник : Infineon 6ae0be5e559461cac17a609b04b5392e.pdf 2xN -MOSFET HEXFET 8A 60V 2W 0.18Ω IRF7351 TIRF7351
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 486 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+84.40 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7351TR IRF7351TR Виробник : UMW 6ae0be5e559461cac17a609b04b5392e.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.