Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF7351TRPBF
IRF7351TRPBF

IRF7351TRPBF Infineon Technologies

infineon-irf7351-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+31.36 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF7351TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF7351TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 8 A, 8 A, 0.0137 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0137ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0137ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRF7351TRPBF за ціною від 40.70 грн до 123.36 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF7351TRPBF IRF7351TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7351pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f6acf81b7b Description: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.8mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+42.24 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7351TRPBF IRF7351TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf7351datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+51.29 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7351TRPBF IRF7351TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf7351datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+55.00 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7351TRPBF IRF7351TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf7351datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+60.95 грн
1000+56.56 грн
2000+55.75 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7351TRPBF IRF7351TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf7351datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+65.36 грн
1000+60.65 грн
2000+59.78 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7351TRPBF IRF7351TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf7351datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+77.28 грн
12+63.91 грн
25+47.19 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7351TRPBF IRF7351TRPBF Виробник : INFINEON IRSDS11530-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7351TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 8 A, 8 A, 0.0137 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0137ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0137ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+84.38 грн
250+71.02 грн
1000+53.70 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7351TRPBF IRF7351TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221A0DE506CD3F1A303005056AB0C4F&compId=irf7351pbf.pdf?ci_sign=4edfec3e68a3b8645ed0cd18f9eb510a94e2a897 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 8A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 8A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3492 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+96.81 грн
6+71.12 грн
10+65.55 грн
21+46.22 грн
56+43.67 грн
1000+42.24 грн
2000+42.00 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7351TRPBF IRF7351TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf7351datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
119+104.78 грн
Мінімальне замовлення: 119
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7351TRPBF IRF7351TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7351pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f6acf81b7b Description: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.8mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 18448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+104.91 грн
10+68.09 грн
100+57.52 грн
500+48.68 грн
1000+46.73 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7351TRPBF IRF7351TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon-IRF7351-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs MOSFT 60V 8A 17.8mOhm 24nC Dual
на замовлення 4236 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+111.37 грн
10+73.95 грн
100+54.30 грн
500+48.04 грн
1000+44.90 грн
2000+44.75 грн
4000+40.70 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7351TRPBF IRF7351TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221A0DE506CD3F1A303005056AB0C4F&compId=irf7351pbf.pdf?ci_sign=4edfec3e68a3b8645ed0cd18f9eb510a94e2a897 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 8A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 8A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3492 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+116.17 грн
5+88.62 грн
10+78.66 грн
21+55.46 грн
56+52.41 грн
1000+50.69 грн
2000+50.40 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7351TRPBF IRF7351TRPBF Виробник : INFINEON IRSDS11530-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7351TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 8 A, 8 A, 0.0137 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0137ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0137ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+123.36 грн
50+84.38 грн
250+71.02 грн
1000+53.70 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7351TRPBF IRF7351TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf7351datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7351TRPBF IRF7351TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7351-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7351TRPBF IRF7351TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf7351datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.