Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF7351TRPBF
IRF7351TRPBF

IRF7351TRPBF Infineon Technologies

infineon-irf7351-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+28.45 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF7351TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF7351TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 8 A, 8 A, 0.0137 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0137ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0137ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRF7351TRPBF за ціною від 30.14 грн до 144.24 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF7351TRPBF IRF7351TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7351-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+30.14 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7351TRPBF IRF7351TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7351-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+30.31 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7351TRPBF IRF7351TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7351-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+46.54 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7351TRPBF IRF7351TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7351pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f6acf81b7b Description: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.8mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+46.92 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7351TRPBF IRF7351TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7351-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+56.38 грн
1000+51.38 грн
2000+50.32 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7351TRPBF IRF7351TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7351-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+60.06 грн
1000+54.74 грн
2000+53.60 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7351TRPBF IRF7351TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7351-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 10689 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
197+61.91 грн
263+46.41 грн
285+42.84 грн
287+41.00 грн
1000+37.89 грн
Мінімальне замовлення: 197
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7351TRPBF IRF7351TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7351-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+71.09 грн
11+59.95 грн
25+47.01 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7351TRPBF IRF7351TRPBF Виробник : INFINEON IRSDS11530-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7351TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 8 A, 8 A, 0.0137 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0137ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0137ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+82.33 грн
250+68.99 грн
1000+51.83 грн
2000+47.14 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7351TRPBF IRF7351TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7351-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
110+110.83 грн
115+105.87 грн
250+101.62 грн
500+94.46 грн
1000+84.61 грн
2500+78.82 грн
Мінімальне замовлення: 110
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7351TRPBF IRF7351TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7351pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f6acf81b7b Description: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.8mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 26273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+117.50 грн
10+76.75 грн
100+60.88 грн
500+47.98 грн
1000+46.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7351TRPBF IRF7351TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221A0DE506CD3F1A303005056AB0C4F&compId=irf7351pbf.pdf?ci_sign=4edfec3e68a3b8645ed0cd18f9eb510a94e2a897 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 8A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 8A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3594 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+120.20 грн
10+76.45 грн
21+44.34 грн
56+42.05 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7351TRPBF IRF7351TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF7351_DataSheet_v01_01_EN-3363008.pdf MOSFETs MOSFT 60V 8A 17.8mOhm 24nC Dual
на замовлення 10397 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+122.44 грн
10+86.09 грн
25+68.03 грн
100+60.69 грн
250+60.47 грн
500+51.45 грн
1000+48.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7351TRPBF IRF7351TRPBF Виробник : INFINEON IRSDS11530-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7351TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 8 A, 8 A, 0.0137 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0137ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0137ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+132.55 грн
50+82.33 грн
250+68.99 грн
1000+51.83 грн
2000+47.14 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7351TRPBF IRF7351TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221A0DE506CD3F1A303005056AB0C4F&compId=irf7351pbf.pdf?ci_sign=4edfec3e68a3b8645ed0cd18f9eb510a94e2a897 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 8A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 8A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3594 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+144.24 грн
10+95.27 грн
21+53.21 грн
56+50.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7351TRPBF IRF7351TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7351-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.