IRF7351TRPBF

IRF7351TRPBF Infineon Technologies


infineon-irf7351-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+32.18 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF7351TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF7351TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 8 A, 8 A, 0.0137 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0137ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0137ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRF7351TRPBF за ціною від 41.77 грн до 160.21 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF7351TRPBF IRF7351TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7351pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f6acf81b7b Description: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.8mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+43.67 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7351TRPBF IRF7351TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf7351datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+52.63 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7351TRPBF IRF7351TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf7351datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+56.44 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7351TRPBF IRF7351TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf7351datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+62.54 грн
1000+58.03 грн
2000+57.20 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7351TRPBF IRF7351TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf7351datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+67.07 грн
1000+62.23 грн
2000+61.34 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7351TRPBF IRF7351TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf7351datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+79.30 грн
12+65.58 грн
25+48.43 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7351TRPBF IRF7351TRPBF Виробник : INFINEON IRSDS11530-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7351TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 8 A, 8 A, 0.0137 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0137ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0137ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+86.59 грн
250+72.87 грн
1000+55.10 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7351TRPBF IRF7351TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf7351datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
119+107.52 грн
Мінімальне замовлення: 119
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7351TRPBF IRF7351TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon-IRF7351-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs MOSFT 60V 8A 17.8mOhm 24nC Dual
на замовлення 4236 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+114.28 грн
10+75.88 грн
100+55.72 грн
500+49.29 грн
1000+46.08 грн
2000+45.92 грн
4000+41.77 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7351TRPBF IRF7351TRPBF Виробник : INFINEON IRSDS11530-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7351TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 8 A, 8 A, 0.0137 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0137ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0137ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+126.59 грн
50+86.59 грн
250+72.87 грн
1000+55.10 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7351TRPBF IRF7351TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7351pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f6acf81b7b Description: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.8mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 11806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+160.21 грн
10+99.01 грн
100+67.25 грн
500+50.32 грн
1000+48.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7351TRPBF IRF7351TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf7351datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7351TRPBF IRF7351TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7351-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7351TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf7351pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f6acf81b7b IRF7351TRPBF Multi channel transistors
на замовлення 3492 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+125.53 грн
21+56.91 грн
56+53.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7351TRPBF IRF7351TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf7351datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.