Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF7351TRPBF
IRF7351TRPBF

IRF7351TRPBF Infineon Technologies

irf7351pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f6acf81b7b
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.8mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+34.17 грн
8000+30.78 грн
12000+29.70 грн
20000+27.63 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF7351TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF7351TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 8 A, 8 A, 0.0137 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0137ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0137ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRF7351TRPBF за ціною від 33.82 грн до 128.99 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF7351TRPBF IRF7351TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf7351datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+53.61 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7351TRPBF IRF7351TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf7351datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+57.48 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7351TRPBF IRF7351TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf7351datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+63.70 грн
1000+59.11 грн
2000+58.26 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7351TRPBF IRF7351TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf7351datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+68.31 грн
1000+63.39 грн
2000+62.48 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7351TRPBF IRF7351TRPBF Виробник : INFINEON IRSDS11530-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7351TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 8 A, 8 A, 0.0137 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0137ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0137ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+79.37 грн
250+66.80 грн
1000+50.51 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7351TRPBF IRF7351TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf7351datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+80.77 грн
12+66.80 грн
25+49.32 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7351TRPBF IRF7351TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon-IRF7351-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs MOSFT 60V 8A 17.8mOhm 24nC Dual
на замовлення 4236 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+100.73 грн
10+66.88 грн
100+49.11 грн
500+43.44 грн
1000+40.61 грн
2000+40.47 грн
4000+36.81 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7351TRPBF IRF7351TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf7351datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
119+109.51 грн
Мінімальне замовлення: 119
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7351TRPBF IRF7351TRPBF Виробник : INFINEON IRSDS11530-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7351TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 8 A, 8 A, 0.0137 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0137ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0137ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+116.04 грн
50+79.37 грн
250+66.80 грн
1000+50.51 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7351TRPBF IRF7351TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7351pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f6acf81b7b Description: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.8mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 28816 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+128.99 грн
10+79.02 грн
100+53.11 грн
500+39.42 грн
1000+36.07 грн
2000+33.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7351TRPBF IRF7351TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf7351datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7351TRPBF IRF7351TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirf7351datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7351TRPBF Виробник : International Rectifier irf7351pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f6acf81b7b MOSFET 2N-CH 60V 8A 8-SOIC Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7351TRPBF Виробник : International Rectifier/Infineon irf7351pbf.pdf 2N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 8 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1330 @ 30, Qg, нКл = 36 @ 10 В, Rds = 17,8 мОм @ 8 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 50 мкА, Р, Вт = 2, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Група товару: Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.