Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF7351TRPBF
IRF7351TRPBF

IRF7351TRPBF Infineon Technologies

irf7351pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f6acf81b7b
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.8mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+42.73 грн
8000+38.61 грн
12000+37.94 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF7351TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF7351TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 8 A, 8 A, 0.0137 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0137ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0137ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції IRF7351TRPBF за ціною від 37.64 грн до 178.72 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRF7351TRPBF IRF7351TRPBF Infineon Technologies infineonirf7351datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+49.40 грн
8000+40.68 грн
12000+39.89 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7351TRPBF IRF7351TRPBF Infineon Technologies infineonirf7351datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+49.50 грн
8000+40.77 грн
12000+39.99 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7351TRPBF IRF7351TRPBF Infineon Technologies infineonirf7351datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+53.82 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7351TRPBF IRF7351TRPBF Infineon Technologies infineonirf7351datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+53.94 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7351TRPBF IRF7351TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7351pbf.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 8A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 8A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1944 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+124.11 грн
6+77.27 грн
10+69.73 грн
50+55.97 грн
100+51.07 грн
250+45.27 грн
500+41.29 грн
1000+37.64 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7351TRPBF IRF7351TRPBF Infineon Technologies infineonirf7351datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
110+128.94 грн
115+123.18 грн
250+118.24 грн
500+109.90 грн
1000+98.44 грн
2500+91.71 грн
Мінімальне замовлення: 110 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7351TRPBF IRF7351TRPBF Infineon Technologies irf7351pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f6acf81b7b Description: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.8mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 25469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+156.53 грн
10+96.26 грн
100+65.29 грн
500+48.82 грн
1000+44.81 грн
2000+43.58 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7351TRPBF IRF7351TRPBF Infineon Technologies infineonirf7351datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 10689 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+178.72 грн
10+125.08 грн
100+89.50 грн
500+70.47 грн
1000+58.91 грн
2000+56.44 грн
4000+50.82 грн
8000+38.06 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7351TRPBF IRF7351TRPBF Infineon Technologies infineonirf7351datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 10689 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
80+178.72 грн
114+125.08 грн
159+89.50 грн
500+70.47 грн
1000+58.91 грн
2000+56.44 грн
4000+50.82 грн
8000+38.06 грн
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7351TRPBF IRF7351TRPBF Infineon Technologies infineonirf7351datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7351TRPBF IRF7351TRPBF Infineon Technologies Infineon-IRF7351-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs MOSFT 60V 8A 17.8mOhm 24nC Dual
на замовлення 464 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7351TRPBF IRF7351TRPBF INFINEON IRSDS11530-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7351TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 8 A, 8 A, 0.0137 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0137ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0137ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7351TRPBF IRF7351TRPBF INFINEON IRSDS11530-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7351TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 8 A, 8 A, 0.0137 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0137ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0137ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7351TRPBF infineonirf7351datasheetv0101en.pdf
IRF7351TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+49.40 грн
8000+40.68 грн
12000+39.89 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7351TRPBF infineonirf7351datasheetv0101en.pdf
IRF7351TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+49.50 грн
8000+40.77 грн
12000+39.99 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7351TRPBF infineonirf7351datasheetv0101en.pdf
IRF7351TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
500+53.82 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7351TRPBF infineonirf7351datasheetv0101en.pdf
IRF7351TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
500+53.94 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7351TRPBF irf7351pbf.pdf
IRF7351TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 8A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 8A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1944 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+124.11 грн
6+77.27 грн
10+69.73 грн
50+55.97 грн
100+51.07 грн
250+45.27 грн
500+41.29 грн
1000+37.64 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7351TRPBF infineonirf7351datasheetv0101en.pdf
IRF7351TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
110+128.94 грн
115+123.18 грн
250+118.24 грн
500+109.90 грн
1000+98.44 грн
2500+91.71 грн
Мінімальне замовлення: 110 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7351TRPBF irf7351pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f6acf81b7b
IRF7351TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.8mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 25469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+156.53 грн
10+96.26 грн
100+65.29 грн
500+48.82 грн
1000+44.81 грн
2000+43.58 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7351TRPBF infineonirf7351datasheetv0101en.pdf
IRF7351TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 10689 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+178.72 грн
10+125.08 грн
100+89.50 грн
500+70.47 грн
1000+58.91 грн
2000+56.44 грн
4000+50.82 грн
8000+38.06 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7351TRPBF infineonirf7351datasheetv0101en.pdf
IRF7351TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 10689 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
80+178.72 грн
114+125.08 грн
159+89.50 грн
500+70.47 грн
1000+58.91 грн
2000+56.44 грн
4000+50.82 грн
8000+38.06 грн
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7351TRPBF infineonirf7351datasheetv0101en.pdf
IRF7351TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7351TRPBF Infineon-IRF7351-DataSheet-v01_01-EN.pdf
IRF7351TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 60V 8A 17.8mOhm 24nC Dual
на замовлення 464 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7351TRPBF IRSDS11530-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7351TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7351TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 8 A, 8 A, 0.0137 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0137ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0137ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7351TRPBF IRSDS11530-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7351TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7351TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 8 A, 8 A, 0.0137 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0137ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0137ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.