IRF7351TRPBF Infineon Technologies
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 500+ | 28.04 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF7351TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF7351TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 8 A, 8 A, 0.0137 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0137ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0137ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IRF7351TRPBF за ціною від 44.64 грн до 120.27 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF7351TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SOPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.8mOhm @ 8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active |
на замовлення 28000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRF7351TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRF7351TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRF7351TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7351TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 8 A, 8 A, 0.0137 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0137ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0137ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 9488 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRF7351TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7351TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 8 A, 8 A, 0.0137 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0137ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0137ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 9488 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRF7351TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 11982 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRF7351TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.8mOhm @ 8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active |
на замовлення 31251 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRF7351TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRF7351TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 42 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRF7351TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET MOSFT 60V 8A 17.8mOhm 24nC Dual |
на замовлення 27310 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRF7351TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 42 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
|
|
IRF7351TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
|
|
IRF7351TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
 |
IRF7351TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 8A; 2W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 8A Power dissipation: 2W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
|
|
IRF7351TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 8A; 2W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 8A Power dissipation: 2W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |