IRF7351TRPBF Infineon Technologies
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 32.33 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF7351TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF7351TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 8 A, 8 A, 0.0137 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0137ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0137ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRF7351TRPBF за ціною від 41.96 грн до 160.95 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF7351TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SOPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.8mOhm @ 8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF7351TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 32000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF7351TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 32000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF7351TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF7351TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF7351TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 27 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF7351TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7351TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 8 A, 8 A, 0.0137 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0137ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0137ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1705 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF7351TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 3876 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF7351TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 60V 8A 17.8mOhm 24nC Dual |
на замовлення 4236 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF7351TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7351TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 8 A, 8 A, 0.0137 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0137ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0137ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1705 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF7351TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.8mOhm @ 8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active |
на замовлення 11806 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF7351TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 27 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
IRF7351TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| IRF7351TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
IRF7351TRPBF Multi channel transistors |
на замовлення 3492 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
IRF7351TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC T/R |
товару немає в наявності |