Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF7351TRPBF
IRF7351TRPBF

IRF7351TRPBF Infineon Technologies

infineon-irf7351-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+28.50 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF7351TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF7351TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 8 A, 8 A, 0.0137 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0137ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0137ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRF7351TRPBF за ціною від 29.80 грн до 142.62 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF7351TRPBF IRF7351TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7351-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+29.80 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7351TRPBF IRF7351TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7351pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f6acf81b7b Description: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.8mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+46.40 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7351TRPBF IRF7351TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7351-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+52.69 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7351TRPBF IRF7351TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7351-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+52.69 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7351TRPBF IRF7351TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7351-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+66.68 грн
1000+59.74 грн
2000+58.79 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7351TRPBF IRF7351TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7351-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+73.83 грн
10+61.38 грн
25+44.93 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7351TRPBF IRF7351TRPBF Виробник : INFINEON IRSDS11530-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7351TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 8 A, 8 A, 0.0137 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0137ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0137ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+81.40 грн
250+68.22 грн
1000+51.25 грн
2000+46.61 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7351TRPBF IRF7351TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7351-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 10899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
145+84.39 грн
155+78.87 грн
190+64.18 грн
200+58.68 грн
500+47.38 грн
1000+40.76 грн
2000+37.21 грн
4000+35.96 грн
Мінімальне замовлення: 145
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7351TRPBF IRF7351TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7351-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
110+110.83 грн
115+105.87 грн
250+101.62 грн
500+94.46 грн
1000+84.61 грн
2500+78.82 грн
Мінімальне замовлення: 110
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7351TRPBF IRF7351TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7351pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f6acf81b7b Description: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.8mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 26273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+116.18 грн
10+75.89 грн
100+60.20 грн
500+47.44 грн
1000+45.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7351TRPBF IRF7351TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf7351pbf.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 8A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 8A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+118.85 грн
10+75.59 грн
21+43.84 грн
56+41.57 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7351TRPBF IRF7351TRPBF Виробник : INFINEON IRSDS11530-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7351TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 8 A, 8 A, 0.0137 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0137ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0137ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+131.06 грн
50+81.40 грн
250+68.22 грн
1000+51.25 грн
2000+46.61 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7351TRPBF IRF7351TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF7351_DataSheet_v01_01_EN-3363008.pdf MOSFETs MOSFT 60V 8A 17.8mOhm 24nC Dual
на замовлення 16618 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+132.92 грн
10+92.63 грн
100+63.57 грн
500+52.10 грн
1000+47.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7351TRPBF IRF7351TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf7351pbf.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 8A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 8A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+142.62 грн
10+94.20 грн
21+52.61 грн
56+49.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7351TRPBF IRF7351TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7351-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7351TRPBF IRF7351TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7351-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7351TRPBF IRF7351TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7351-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.