Продукція > INFINEON / IR > IRF7379TRPBF

IRF7379TRPBF Infineon / IR

Name: IRF7379TRPBF
Brand: INFINEON TECHNOLOGIES
SKU: 459849571-1
Price: 104560 UAH
Availability: BackOrder

Виробник: Infineon / IR
MOSFET MOSFT DUAL N/PCh 30V 5.8A

на замовлення 2003 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IRF7379TRPBF Infineon / IR

Description: MOSFET N/P-CH 30V 5.8A/4.3A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2.5W, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A, 4.3A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5.8A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SO, Part Status: Obsolete.

Інші пропозиції IRF7379TRPBF

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
IRF7379TRPBF	Виробник : Infineon Technologies	Trans MOSFET N/P-CH Si 30V 5.8A/4.3A 8-Pin SOIC T/R	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IRF7379TRPBF	Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES	Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 5.8/-4.3A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N/P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30/-30V Drain current: 5.8/-4.3A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 45/90mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 4000 шт	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IRF7379TRPBF	Виробник : Infineon Technologies	Description: MOSFET N/P-CH 30V 5.8A/4.3A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A, 4.3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5.8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Obsolete	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IRF7379TRPBF	Виробник : Infineon Technologies	Description: MOSFET N/P-CH 30V 5.8A/4.3A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A, 4.3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5.8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Obsolete	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IRF7379TRPBF	Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES	Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 5.8/-4.3A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N/P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30/-30V Drain current: 5.8/-4.3A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 45/90mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.