Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF7380TRPBF
IRF7380TRPBF

IRF7380TRPBF Infineon Technologies

1081irf7380.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 3.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+30.08 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF7380TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF7380TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 3.6 A, 3.6 A, 0.061 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.6A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.061ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.061ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRF7380TRPBF за ціною від 22.22 грн до 89.42 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF7380TRPBF IRF7380TRPBF Виробник : Infineon Technologies 1081irf7380.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 3.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+43.85 грн
16+37.87 грн
25+37.49 грн
100+25.41 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7380TRPBF IRF7380TRPBF Виробник : INFINEON IRSDS18765-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7380TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 3.6 A, 3.6 A, 0.061 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.061ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.061ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7380TRPBF IRF7380TRPBF Виробник : INFINEON IRSDS18765-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7380TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 3.6 A, 3.6 A, 0.061 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.061ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.061ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7380TRPBF IRF7380TRPBF
Код товару: 43150
Додати до обраних Обраний товар

irf7380pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f9da901b89 Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7380TRPBF IRF7380TRPBF Виробник : Infineon Technologies 1081irf7380.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 3.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+22.22 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7380TRPBF IRF7380TRPBF Виробник : Infineon Technologies 1081irf7380.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 3.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+32.06 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7380TRPBF IRF7380TRPBF Виробник : Infineon Technologies 1081irf7380.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 3.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
329+37.09 грн
469+26.03 грн
491+24.89 грн
520+22.67 грн
Мінімальне замовлення: 329
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7380TRPBF IRF7380TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7380pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f9da901b89 Description: MOSFET 2N-CH 80V 3.6A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 2.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+72.45 грн
10+50.85 грн
100+38.94 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7380TRPBF IRF7380TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF7380_DataSheet_v01_01_EN-3363252.pdf MOSFET MOSFT DUAL NCh 80V 3.6A
на замовлення 17912 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+89.42 грн
10+72.05 грн
100+49.04 грн
500+41.52 грн
1000+33.86 грн
2000+31.70 грн
4000+31.18 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7380TRPBF IRF7380TRPBF Виробник : Infineon Technologies 1081irf7380.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 3.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7380TRPBF irf7380pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f9da901b89 IRF7380TRPBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 100 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7380TRPBF irf7380pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f9da901b89 IRF7380TRPBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 1026 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7380TRPBF IRF7380TRPBF Виробник : Infineon Technologies 1081irf7380.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 3.6A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7380TRPBF IRF7380TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221A1416FA3A7F1A303005056AB0C4F&compId=irf7380pbf.pdf?ci_sign=43b47160500444f3ece01f173324f425d2669bea Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 80V; 3.6A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 3.6A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7380TRPBF IRF7380TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7380pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f9da901b89 Description: MOSFET 2N-CH 80V 3.6A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 2.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7380TRPBF IRF7380TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221A1416FA3A7F1A303005056AB0C4F&compId=irf7380pbf.pdf?ci_sign=43b47160500444f3ece01f173324f425d2669bea Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 80V; 3.6A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 3.6A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.