Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF7380TRPBF
IRF7380TRPBF

IRF7380TRPBF Infineon Technologies

1081irf7380.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 3.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+29.20 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF7380TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF7380TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 3.6 A, 3.6 A, 0.061 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.6A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.061ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.061ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRF7380TRPBF за ціною від 21.96 грн до 88.40 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF7380TRPBF IRF7380TRPBF Виробник : Infineon Technologies 1081irf7380.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 3.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+42.52 грн
17+36.90 грн
25+36.53 грн
100+31.03 грн
250+28.44 грн
500+21.96 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7380TRPBF IRF7380TRPBF Виробник : INFINEON IRSDS18765-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7380TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 3.6 A, 3.6 A, 0.061 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.061ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.061ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+59.83 грн
250+43.91 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7380TRPBF IRF7380TRPBF Виробник : INFINEON IRSDS18765-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7380TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 3.6 A, 3.6 A, 0.061 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.061ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.061ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+85.83 грн
50+59.83 грн
250+43.91 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7380TRPBF IRF7380TRPBF
Код товару: 43150
Додати до обраних Обраний товар

irf7380pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f9da901b89 Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7380TRPBF IRF7380TRPBF Виробник : Infineon Technologies 1081irf7380.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 3.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+21.97 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7380TRPBF IRF7380TRPBF Виробник : Infineon Technologies 1081irf7380.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 3.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+38.49 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7380TRPBF IRF7380TRPBF Виробник : Infineon Technologies 1081irf7380.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 3.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
307+39.74 грн
311+39.34 грн
353+34.65 грн
356+33.08 грн
500+24.63 грн
Мінімальне замовлення: 307
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7380TRPBF IRF7380TRPBF Виробник : Infineon Technologies 1081irf7380.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 3.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 7332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
297+41.16 грн
358+34.16 грн
372+32.86 грн
500+30.28 грн
1000+26.80 грн
4000+25.31 грн
Мінімальне замовлення: 297
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7380TRPBF IRF7380TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7380pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f9da901b89 Description: MOSFET 2N-CH 80V 3.6A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 2.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+71.62 грн
10+50.27 грн
100+38.50 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7380TRPBF IRF7380TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF7380_DataSheet_v01_01_EN-3363252.pdf MOSFET MOSFT DUAL NCh 80V 3.6A
на замовлення 17912 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+88.40 грн
10+71.24 грн
100+48.48 грн
500+41.05 грн
1000+33.47 грн
2000+31.34 грн
4000+30.83 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7380TRPBF irf7380pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f9da901b89 IRF7380TRPBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 100 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7380TRPBF irf7380pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f9da901b89 IRF7380TRPBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 1026 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7380TRPBF IRF7380TRPBF Виробник : Infineon Technologies 1081irf7380.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 3.6A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7380TRPBF IRF7380TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf7380pbf.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 80V; 3.6A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 3.6A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7380TRPBF IRF7380TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7380pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f9da901b89 Description: MOSFET 2N-CH 80V 3.6A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 2.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7380TRPBF IRF7380TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf7380pbf.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 80V; 3.6A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 3.6A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.