Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRF7380TRPBF
IRF7380TRPBF

IRF7380TRPBF

irf7380pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f9da901b89
Код товару: 43150
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRF7380TRPBF за ціною від 29.47 грн до 100.10 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF7380TRPBF IRF7380TRPBF Infineon Technologies 1081irf7380.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 3.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5035 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
329+42.92 грн
Мінімальне замовлення: 329 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7380TRPBF IRF7380TRPBF Infineon Technologies 1081irf7380.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 3.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+45.75 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7380TRPBF IRF7380TRPBF Infineon Technologies 1081irf7380.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 3.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+48.36 грн
8000+45.10 грн
12000+43.45 грн
20000+40.46 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7380TRPBF IRF7380TRPBF Infineon Technologies irf7380pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f9da901b89 Description: MOSFET 2N-CH 80V 3.6A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 2.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+71.20 грн
10+49.98 грн
100+38.28 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7380TRPBF IRF7380TRPBF INFINEON IRSDS18765-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7380TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 3.6 A, 3.6 A, 0.061 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.061ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.061ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4852 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+76.71 грн
250+51.20 грн
1000+34.06 грн
2000+30.31 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7380TRPBF IRF7380TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRF7380_DataSheet_v01_01_EN-3363252.pdf MOSFET MOSFT DUAL NCh 80V 3.6A
на замовлення 17912 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+84.51 грн
10+68.10 грн
100+46.34 грн
500+39.24 грн
1000+32.00 грн
2000+29.96 грн
4000+29.47 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7380TRPBF IRF7380TRPBF INFINEON irf7380pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f9da901b89 Description: INFINEON - IRF7380TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 3.6 A, 3.6 A, 0.061 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.061ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.061ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4797 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+100.10 грн
50+74.17 грн
250+53.82 грн
1000+35.81 грн
2000+30.38 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7380TRPBF irf7380pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f9da901b89 IRF7380TRPBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 100 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7380TRPBF irf7380pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f9da901b89 IRF7380TRPBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 1026 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7380TRPBF 1081irf7380.pdf
IRF7380TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 3.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5035 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
329+42.92 грн
Мінімальне замовлення: 329 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7380TRPBF 1081irf7380.pdf
IRF7380TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 3.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4000+45.75 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7380TRPBF 1081irf7380.pdf
IRF7380TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 3.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4000+48.36 грн
8000+45.10 грн
12000+43.45 грн
20000+40.46 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7380TRPBF irf7380pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f9da901b89
IRF7380TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 80V 3.6A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 2.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+71.20 грн
10+49.98 грн
100+38.28 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7380TRPBF IRSDS18765-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7380TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7380TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 3.6 A, 3.6 A, 0.061 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.061ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.061ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4852 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+76.71 грн
250+51.20 грн
1000+34.06 грн
2000+30.31 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7380TRPBF Infineon_IRF7380_DataSheet_v01_01_EN-3363252.pdf
IRF7380TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT DUAL NCh 80V 3.6A
на замовлення 17912 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
4+84.51 грн
10+68.10 грн
100+46.34 грн
500+39.24 грн
1000+32.00 грн
2000+29.96 грн
4000+29.47 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7380TRPBF irf7380pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f9da901b89
IRF7380TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7380TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 3.6 A, 3.6 A, 0.061 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.061ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.061ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4797 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
9+100.10 грн
50+74.17 грн
250+53.82 грн
1000+35.81 грн
2000+30.38 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7380TRPBF irf7380pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f9da901b89
IRF7380TRPBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 100 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7380TRPBF irf7380pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f9da901b89
IRF7380TRPBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 1026 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.