Продукція > UMW > IRF7389TR
IRF7389TR

IRF7389TR UMW

89fb662a24ccc7af34650a79b8458bca.pdf Виробник: UMW
Description: MOSFET N/P-CH 30V 7.3A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta), 5.3A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V, 710pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V, 58mOhm @ 4.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V, 34nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+66.85 грн
10+39.93 грн
100+25.93 грн
500+18.68 грн
1000+16.86 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF7389TR UMW

Description: MOSFET N/P-CH 30V 7.3A 8SOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2.5W (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta), 5.3A (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V, 710pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V, 58mOhm @ 4.9A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V, 34nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOP.

Інші пропозиції IRF7389TR за ціною від 14.59 грн до 36.74 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF7389TR Виробник : UMW 89fb662a24ccc7af34650a79b8458bca.pdf irf7389pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f9f3441b90 Transistor N/P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 46mOhm/98mOhm; 7,3A/5,3A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7389; IRF7389TR; SP001574944; SP001554234; IRF7389TR UMW TIRF7389 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+14.59 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7389TR Виробник : Infineon 89fb662a24ccc7af34650a79b8458bca.pdf irf7389pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f9f3441b90 N/P-MOSFET HEXFET 7.3A, 5.3A 30V 2.5W 0.058Ω IRF7389 TIRF7389
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 3330 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+36.74 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7389TR IRF7389TR Виробник : UMW 89fb662a24ccc7af34650a79b8458bca.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 7.3A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta), 5.3A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V, 710pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V, 58mOhm @ 4.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V, 34nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7389TR IRF7389TR Виробник : Infineon Technologies irf7389pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f9f3441b90 Description: MOSFET N/P-CH 30V 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.