IRF7401PBF
Код товару: 47551
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: IR
Корпус: SO-8
Uds,V: 20 V
Idd,A: 7 А
Rds(on), Ohm: 0,022 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1600/48
Монтаж: SMD
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRF7401PBF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| IRF7401PBF | International Rectifier |
HEXFET SO-8 Транзистори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
 |
IRF7401PBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 20V 8.7A 8SO Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4.1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min) Supplier Device Package: 8-SO Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
 |
IRF7401PBF | Infineon Technologies |
MOSFETs 20V 1 N-CH HEXFET 22mOhms 32nC |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| IRF7401PBF |
|
Виробник: International Rectifier
HEXFET SO-8 Транзистори
HEXFET SO-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF7401PBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 20V 8.7A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 20V 8.7A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF7401PBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 20V 1 N-CH HEXFET 22mOhms 32nC
MOSFETs 20V 1 N-CH HEXFET 22mOhms 32nC
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.