
IRF7402TRPBF Infineon Technologies
на замовлення 763 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
692+ | 43.99 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF7402TRPBF Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 20V 6.8A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.1A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min), Supplier Device Package: 8-SO, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 15 V.
Інші пропозиції IRF7402TRPBF
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRF7402TRPBF | Виробник : ROCHESTER ELECTRONICS |
![]() tariffCode: 85412900 euEccn: NLR hazardous: false rohsCompliant: YES productTraceability: No rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 763 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
IRF7402TRPBF | Виробник : IOR |
![]() |
на замовлення 200000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
IRF7402TRPBF | Виробник : IOR |
![]() |
на замовлення 8318 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
IRF7402TRPBF | Виробник : IR |
![]() |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
IRF7402TRPBF | Виробник : IR |
![]() |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
![]() |
IRF7402TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min) Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |
|
![]() |
IRF7402TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min) Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |