IRF7403PBF
Код товару: 22641
Виробник: IRКорпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Idd,A: 8,5 A
Rds(on), Ohm: 0,022 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1200/57
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 15.00 грн |
| 10+ | 13.60 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF7403PBF IR
- MOSFET, N, LOGIC, SO-8
- Transistor Type:MOSFET
- Transistor Polarity:N
- Typ Voltage Vds:30V
- Cont Current Id:6.7A
- On State Resistance:0.022ohm
- Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
- Typ Voltage Vgs th:1V
- Case Style:SOIC
- Termination Type:SMD
- Current Temperature:25`C
- External Depth:5.2mm
- External Length / Height:1.75mm
- External Width:4.05mm
- Full Power Rating Temperature:25`C
- Max Voltage Vds:30V
- Min Junction Temperature, Tj:-55`C
- No. of Pins:8
- No. of Transistors:1
- Pin Configuration:b
- Pin Format:1 S
- 2 S
- 3 S
- 4 G
- 5 D
- 6 D
- 7 D
- 8 D
- Power Dissipation:1.6W
- Power Dissipation Pd:1.6W
- Pulse Current Idm:27A
- Row Pitch:6.3mm
- SMD Marking:F7403
- Transistor Case Style:SOIC
Інші пропозиції IRF7403PBF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF7403PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SO Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |