IRF7404PBF
Код товару: 22642
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: IR
Корпус: SO-8
Uds,V: 20 V
Id,A: 6,7 A
Rds(on),Om: 0,040 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1500/50
Монтаж: SMD
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF7404PBF IR
- MOSFET, P, LOGIC, SO-8
- Transistor Type:MOSFET
- Transistor Polarity:P
- Typ Voltage Vds:-20V
- Cont Current Id:5.3A
- On State Resistance:0.04ohm
- Voltage Vgs Rds on Measurement:-4.5V
- Typ Voltage Vgs th:-0.7V
- Case Style:SOIC
- Termination Type:SMD
- Current Temperature:25`C
- External Depth:5.2mm
- External Length / Height:1.75mm
- External Width:4.05mm
- Full Power Rating Temperature:25`C
- Max Voltage Vds:20V
- No. of Pins:8
- No. of Transistors:1
- Pin Configuration:b
- Pin Format:1 S
- 2 S
- 3 S
- 4 G
- 5 D
- 6 D
- 7 D
- 8 D
- Power Dissipation:1.6W
- Power Dissipation Pd:1.6W
- Pulse Current Idm:21A
- Row Pitch:6.3mm
- SMD Marking:F7404
- Transistor Case Style:SOIC
Інші пропозиції IRF7404PBF за ціною від 17.52 грн до 20.44 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRF7404PBF | Виробник : International Rectifier/Infineon |
Р-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 6,7 A, Ptot, Вт = 2,5, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1500 @ 15, Qg, нКл = 50 @ 4,5 В, Rds = 40 мОм @ 3,2 A, 4,5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 700 мВ @ 250 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: SOICN-8 Окількість в упаковці: 95 шт |
на замовлення 68 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||
|
IRF7404PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 20V 6.7A 8SOPackaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 3.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min) Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |
|||||||
|
IRF7404PBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET 20V DUAL N-CH HEXFET 40mOhms 33.3nC |
товару немає в наявності |

