IRF7404PBF International Rectifier/Infineon
Виробник: International Rectifier/Infineon
Р-канальний ПТ; Udss, В = 20; Id = 6,7 A; Ptot, Вт = 2,5; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 1500 @ 15; Qg, нКл = 50 @ 4,5 В; Rds = 40 мОм @ 3,2 A, 4,5 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 700 мВ @ 250 мкА; SOICN-8
Р-канальний ПТ; Udss, В = 20; Id = 6,7 A; Ptot, Вт = 2,5; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 1500 @ 15; Qg, нКл = 50 @ 4,5 В; Rds = 40 мОм @ 3,2 A, 4,5 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 700 мВ @ 250 мкА; SOICN-8
на замовлення 78 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
38+ | 16.68 грн |
41+ | 15.57 грн |
100+ | 14.46 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF7404PBF International Rectifier/Infineon
Description: MOSFET P-CH 20V 6.7A 8SO, Packaging: Tube, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 3.2A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min), Supplier Device Package: 8-SO, Part Status: Discontinued at Digi-Key, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V.
Інші пропозиції IRF7404PBF
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
IRF7404PBF Код товару: 22642 |
Виробник : IR |
Транзистори > Польові P-канальні Корпус: SO-8 Uds,V: 20 V Id,A: 6,7 A Rds(on),Om: 0,040 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1500/50 Монтаж: SMD |
товар відсутній
|
||
IRF7404PBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 20V 6.7A 8-Pin SOIC Tube |
товар відсутній |
||
IRF7404PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 20V 6.7A 8SO Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 3.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min) Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V |
товар відсутній |
||
IRF7404PBF | Виробник : Infineon Technologies | MOSFET 20V DUAL N-CH HEXFET 40mOhms 33.3nC |
товар відсутній |