Технічний опис IRF7404TRPBF
- MOSFET
- Transistor Type:MOSFET
- Transistor Polarity:P Channel
- Drain Source Voltage, Vds:-20V
- Continuous Drain Current, Id:-6.7A
- On Resistance, Rds(on):40mohm
- Rds(on) Test Voltage, Vgs:-4.5V
- Package/Case:8-SOIC
Інші пропозиції IRF7404TRPBF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF7404TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET P-CH 20V 6.7A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 54 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| IRF7404TRPBF |
IRF7404TRPBF Транзисторы HEXFET |
на замовлення 10 шт: термін постачання 4 дні (днів) |
|||
 |
IRF7404TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7404TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6.7 A, 0.04 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
товару немає в наявності |
|
|
|
IRF7404TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7404TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6.7 A, 0.04 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
товару немає в наявності |
|
| IRF7404TRPBF | Виробник : Infineon |
MOSFET P-CH 20V 6.7A 8SO Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||
| IRF7404TRPBF | Виробник : International Rectifier |
MOSFET P-CH 20V 6.7A 8SO Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||
 |
IRF7404TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 20V 6.7A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 3.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min) Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |
|
|
|
IRF7404TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 20V 6.7A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 3.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min) Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |
|
 |
IRF7404TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT PCh -20V -6.7A 40mOhm 33.3nC |
товару немає в наявності |
|
 |
IRF7404TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6.7A; 2.5W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -6.7A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® |
товару немає в наявності |