
IRF7410GTRPBF ROCHESTER ELECTRONICS

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF7410GTRPBF - IRF7410 16A, 12V, 0.007OHM, P-CHANNEL P
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 12261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
800+ | 31.61 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF7410GTRPBF ROCHESTER ELECTRONICS
Description: MOSFET P-CH 12V 16A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 16A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SO, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8676 pF @ 10 V.
Інші пропозиції IRF7410GTRPBF за ціною від 42.95 грн до 42.95 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRF7410GTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 12231 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
![]() |
IRF7410GTRPBF | Виробник : Infineon / IR |
![]() |
на замовлення 8160 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||
![]() |
IRF7410GTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||
![]() |
IRF7410GTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 16A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8676 pF @ 10 V |
товару немає в наявності |
|||||
![]() |
IRF7410GTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 16A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8676 pF @ 10 V |
товару немає в наявності |