IRF7410TRPBF Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 12V 16A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 16A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8676 pF @ 10 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4000+ | 27.48 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF7410TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF7410TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 16 A, 7000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 12V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 16A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRF7410TRPBF за ціною від 27.73 грн до 99.10 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF7410TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 12V 16A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 104000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF7410TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 12V 16A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 104000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF7410TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 12V 16A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 7980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF7410TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 12V 16A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF7410TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 12V 16A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF7410TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 12V 16A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 3184 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF7410TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7410TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 16 A, 7000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 5343 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF7410TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT PCh -12V -16A 7mOhm 91nC |
на замовлення 5899 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF7410TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7410TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 16 A, 7000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 5343 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF7410TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 12V 16A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 16A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8676 pF @ 10 V |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
IRF7410TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 12V 16A 8-Pin SOIC T/R |
товару немає в наявності |