Технічний опис IRF7413A IR
Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8SO, Packaging: Tube, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 6.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SO, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRF7413A
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| IRF7413A | Виробник : IR |
 09+ |
на замовлення 60 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| IRF7413A | Виробник : IR |
SO-8 |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
IRF7413A | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8SO Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 6.6A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|
 |
IRF7413A | Виробник : Infineon / IR |
MOSFET |
товару немає в наявності |