Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRF7413Z PBF
IRF7413Z PBF

IRF7413Z PBF

irf7413z-datasheet.pdf
Код товару: 25377
Виробник: IR
Uds,V: 30 V
Idd,A: 13 A
Rds(on), Ohm: 0,011 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 650/22
Монтаж: SMD
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF7413Z PBF IR

  • MOSFET, N, LOGIC, SO-8
  • Transistor Type:MOSFET
  • Max Voltage Vds:30V
  • On State Resistance:0.01ohm
  • Power Dissipation:2.5W
  • Transistor Case Style:SOIC
  • No. of Pins:8
  • Case Style:SOIC
  • Cont Current Id:13A
  • Current Temperature:25`C
  • External Depth:5.2mm
  • External Length / Height:1.75mm
  • External Width:4.05mm
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • No. of Transistors:1
  • Power Dissipation Pd:2.5W
  • Pulse Current Idm:100A
  • Row Pitch:6.3mm
  • SMD Marking:IRF7413ZPBF
  • Termination Type:SMD
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:30V
  • Typ Voltage Vgs th:1.8V
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

Інші пропозиції IRF7413Z PBF

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRF7413ZPBF IRF7413ZPBF Виробник : Infineon Technologies irf7413zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355fab6901bc2 Description: MOSFET N-CH 30V 13A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1210 pF @ 15 V
товар відсутній
IRF7413ZPBF IRF7413ZPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF7413Z_DataSheet_v01_01_EN-1732722.pdf MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 10mOhms 9.5nC
товар відсутній