Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF7413ZTRPBF
IRF7413ZTRPBF

IRF7413ZTRPBF Infineon Technologies

irf7413z.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 626 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
26+13.65 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF7413ZTRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF7413ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 13 A, 0.008 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 13A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції IRF7413ZTRPBF за ціною від 9.96 грн до 73.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF7413ZTRPBF IRF7413ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7413z.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+13.65 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7413ZTRPBF IRF7413ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7413zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355fab6901bc2 Description: MOSFET N-CH 30V 13A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1210 pF @ 15 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+15.42 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7413ZTRPBF IRF7413ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7413z.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1231+24.80 грн
Мінімальне замовлення: 1231
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7413ZTRPBF IRF7413ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7413z.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
433+28.22 грн
435+28.06 грн
564+21.64 грн
1000+19.30 грн
2000+17.65 грн
Мінімальне замовлення: 433
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7413ZTRPBF IRF7413ZTRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0002247310-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7413ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 13 A, 0.008 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+35.73 грн
500+27.43 грн
1000+20.30 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7413ZTRPBF IRF7413ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7413z.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
308+39.69 грн
420+29.05 грн
437+27.97 грн
544+21.66 грн
1000+11.18 грн
Мінімальне замовлення: 308
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7413ZTRPBF IRF7413ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7413z.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 581 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
299+40.87 грн
420+29.11 грн
533+22.91 грн
Мінімальне замовлення: 299
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7413ZTRPBF IRF7413ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7413z.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+51.01 грн
17+37.21 грн
25+36.86 грн
100+26.02 грн
250+23.19 грн
500+17.88 грн
1000+9.96 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7413ZTRPBF IRF7413ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7413z.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 581 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+53.91 грн
16+39.33 грн
100+28.01 грн
500+21.25 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7413ZTRPBF IRF7413ZTRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf7413zpbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 2.5W
Technology: HEXFET®
на замовлення 2958 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+57.77 грн
11+37.70 грн
50+28.43 грн
52+17.55 грн
141+16.55 грн
2000+15.94 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7413ZTRPBF IRF7413ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7413zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355fab6901bc2 Description: MOSFET N-CH 30V 13A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1210 pF @ 15 V
на замовлення 5037 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+62.87 грн
10+39.54 грн
100+25.70 грн
500+18.53 грн
1000+17.15 грн
2000+16.91 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7413ZTRPBF IRF7413ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF7413Z_DataSheet_v01_01_EN-3223879.pdf MOSFETs MOSFT 30V 13A 10mOhm 9.5nC
на замовлення 24873 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+63.08 грн
10+52.28 грн
100+32.08 грн
500+24.50 грн
1000+23.62 грн
2000+22.44 грн
4000+21.41 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7413ZTRPBF IRF7413ZTRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf7413zpbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 2.5W
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2958 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+69.32 грн
10+46.98 грн
50+34.12 грн
52+21.06 грн
141+19.86 грн
2000+19.13 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7413ZTRPBF IRF7413ZTRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0002247310-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7413ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 13 A, 0.008 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+73.12 грн
16+54.47 грн
100+35.73 грн
500+27.43 грн
1000+20.30 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7413ZTRPBF IRF7413ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7413z.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.