IRF7413ZTRPBF Infineon Technologies


irf7413zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355fab6901bc2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 13A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1210 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 25µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 902 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+50.63 грн
10+35.27 грн
100+23.80 грн
500+17.16 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF7413ZTRPBF Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 13A 8SO, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1210 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: 8-SO, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 25µA, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 13A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції IRF7413ZTRPBF за ціною від 14.49 грн до 68.37 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF7413ZTRPBF IRF7413ZTRPBF Infineon Technologies Infineon_IRF7413Z_DataSheet_v01_01_EN-3223879.pdf description MOSFETs MOSFT 30V 13A 10mOhm 9.5nC
на замовлення 13653 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+59.24 грн
10+41.49 грн
100+24.33 грн
250+24.19 грн
500+18.71 грн
1000+15.82 грн
2500+14.49 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7413ZTRPBF IRF7413ZTRPBF Infineon Technologies irf7413z.pdf description Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
233+60.81 грн
313+45.17 грн
425+33.25 грн
540+25.22 грн
Мінімальне замовлення: 233 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7413ZTRPBF IRF7413ZTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7413zpbf.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 2.5W
Gate-source voltage: ±20V
Technology: HEXFET®
на замовлення 126 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+68.37 грн
12+35.72 грн
25+32.17 грн
50+29.54 грн
100+26.92 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7413ZTRPBF description Infineon_IRF7413Z_DataSheet_v01_01_EN-3223879.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 30V 13A 10mOhm 9.5nC
на замовлення 13653 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
6+59.24 грн
10+41.49 грн
100+24.33 грн
250+24.19 грн
500+18.71 грн
1000+15.82 грн
2500+14.49 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7413ZTRPBF description irf7413z.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
233+60.81 грн
313+45.17 грн
425+33.25 грн
540+25.22 грн
Мінімальне замовлення: 233 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7413ZTRPBF description irf7413zpbf.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 2.5W
Gate-source voltage: ±20V
Technology: HEXFET®
на замовлення 126 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
7+68.37 грн
12+35.72 грн
25+32.17 грн
50+29.54 грн
100+26.92 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.