Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF7413ZTRPBF
IRF7413ZTRPBF

IRF7413ZTRPBF Infineon Technologies

irf7413z.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 626 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
26+14.13 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF7413ZTRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF7413ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 13 A, 0.008 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 13A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції IRF7413ZTRPBF за ціною від 14.13 грн до 75.70 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF7413ZTRPBF IRF7413ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7413z.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+14.13 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7413ZTRPBF IRF7413ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7413z.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+14.68 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7413ZTRPBF IRF7413ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7413z.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+15.75 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7413ZTRPBF IRF7413ZTRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0002247310-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7413ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 13 A, 0.008 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+37.00 грн
500+28.40 грн
1000+21.02 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7413ZTRPBF IRF7413ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7413z.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
239+51.08 грн
Мінімальне замовлення: 239
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7413ZTRPBF IRF7413ZTRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221A28B5E97DEF1A303005056AB0C4F&compId=irf7413zpbf.pdf?ci_sign=0a0941c7081f3ad0564ea06b4ffff92ce75b9dcf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 2.5W
Gate-source voltage: ±20V
Technology: HEXFET®
на замовлення 3985 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+51.26 грн
12+35.54 грн
50+26.82 грн
52+18.17 грн
142+17.14 грн
1000+16.50 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7413ZTRPBF IRF7413ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7413zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355fab6901bc2 Description: MOSFET N-CH 30V 13A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1210 pF @ 15 V
на замовлення 902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+52.73 грн
10+36.73 грн
100+24.79 грн
500+17.86 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7413ZTRPBF IRF7413ZTRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221A28B5E97DEF1A303005056AB0C4F&compId=irf7413zpbf.pdf?ci_sign=0a0941c7081f3ad0564ea06b4ffff92ce75b9dcf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 2.5W
Gate-source voltage: ±20V
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3985 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+61.52 грн
10+44.29 грн
50+32.18 грн
52+21.80 грн
142+20.56 грн
1000+19.80 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7413ZTRPBF IRF7413ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF7413Z_DataSheet_v01_01_EN-3223879.pdf MOSFETs MOSFT 30V 13A 10mOhm 9.5nC
на замовлення 13653 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+64.16 грн
10+44.93 грн
100+26.35 грн
250+26.20 грн
500+20.26 грн
1000+17.14 грн
2500+15.69 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7413ZTRPBF IRF7413ZTRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0002247310-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7413ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 13 A, 0.008 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+75.70 грн
16+56.39 грн
100+37.00 грн
500+28.40 грн
1000+21.02 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7413ZTRPBF IRF7413ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7413z.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7413ZTRPBF IRF7413ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7413zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355fab6901bc2 Description: MOSFET N-CH 30V 13A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1210 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.