IRF7413ZTRPBFXTMA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - IRF7413ZTRPBFXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 13 A, 0.008 ohm, SO-8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.25V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3602 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 28.31 грн |
| 500+ | 20.46 грн |
| 1000+ | 15.56 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF7413ZTRPBFXTMA1 INFINEON
Description: INFINEON - IRF7413ZTRPBFXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 13 A, 0.008 ohm, SO-8, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 13A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.25V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SO-8, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRF7413ZTRPBFXTMA1 за ціною від 15.21 грн до 68.58 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF7413ZTRPBFXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: TRENCH <= 40V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA Supplier Device Package: PG-DSO-8-902 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1210 pF @ 15 V |
на замовлення 3588 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF7413ZTRPBFXTMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7413ZTRPBFXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 13 A, 0.008 ohm, SO-8, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.25V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SO-8 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 3602 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IRF7413ZTRPBFXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 13A 8-Pin SO T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IRF7413ZTRPBFXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 13A 8-Pin SO T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| IRF7413ZTRPBFXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 13A 8-Pin SO T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
|
|
IRF7413ZTRPBFXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: TRENCH <= 40V Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA Supplier Device Package: PG-DSO-8-902 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1210 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
IRF7413ZTRPBFXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs TRENCH <= 40V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| IRF7413ZTRPBFXTMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13A; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 13A Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |