Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF7421D1TRPBF
IRF7421D1TRPBF

IRF7421D1TRPBF Infineon Technologies

IRF7421D1PbF.pdf Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 5.8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.1A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
на замовлення 1546 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+38.9 грн
10+ 28.16 грн
100+ 23.38 грн
500+ 20.08 грн
1000+ 19.41 грн
Мінімальне замовлення: 8
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF7421D1TRPBF Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 5.8A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.1A, 10V, FET Feature: Schottky Diode (Isolated), Power Dissipation (Max): 2W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SO, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRF7421D1TRPBF

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRF7421D1TRPBF Виробник : IOR IRF7421D1PbF.pdf
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF7421D1TRPBF Виробник : IR IRF7421D1PbF.pdf SOP8 0846+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF7421D1TRPBF IRF7421D1TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7421d1.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 5.8A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
IRF7421D1TRPBF IRF7421D1TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7421d1.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 5.8A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
IRF7421D1TRPBF IRF7421D1TRPBF Виробник : Infineon Technologies IRF7421D1PbF.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 5.8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.1A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF7421D1TRPBF IRF7421D1TRPBF Виробник : Infineon / IR international rectifier_irf7421d1pbf-1169028.pdf MOSFET MOSFT w/Schttky 30V 5.8A 35mOhm 18nC
товар відсутній