IRF7424PBF ROCHESTER ELECTRONICS
Виробник: ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF7424PBF - IRF7424 20V-250V P-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF7424PBF ROCHESTER ELECTRONICS
Description: MOSFET P-CH 30V 11A 8SO, Packaging: Tube, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 11A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SO, Part Status: Discontinued at Digi-Key, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4030 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRF7424PBF за ціною від 15.70 грн до 19.50 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF7424PBF Код товару: 39774
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : IR |
Транзистори > Польові P-канальні Корпус: SO-8 Uds,V: 30 V Id,A: 11 A Rds(on),Om: 0,0135 Ohm Монтаж: SMD |
товару немає в наявності
|
|
||||||||
 |
IRF7424PBF | Виробник : International Rectifier HiRel Products |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 11A 8-Pin SOIC N Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||
|
|
IRF7424PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 11A 8-Pin SOIC N Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
IRF7424PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 30V 11A 8SO Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4030 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
IRF7424PBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs 1 P-CH -30V HEXFET 13.5mOhms 75nC |
товару немає в наявності |