Продукція > UMW > IRF7424TR
IRF7424TR

IRF7424TR UMW


a933b64471da595f1972c8a0a80e3e2e.pdf Виробник: UMW
Description: MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+20.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF7424TR UMW

Description: MOSFET P-CH 30V 11A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 11A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4030 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRF7424TR

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF7424TR Виробник : IR a933b64471da595f1972c8a0a80e3e2e.pdf IR_PartNumberingSystem.pdf 04+
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7424TR IRF7424TR Виробник : UMW a933b64471da595f1972c8a0a80e3e2e.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7424TR IRF7424TR Виробник : Infineon Technologies IR_PartNumberingSystem.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 11A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4030 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.