Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF7424TRPBF
IRF7424TRPBF

IRF7424TRPBF Infineon Technologies

irf7424.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 30V 11A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+24.89 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF7424TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF7424TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11 A, 0.0135 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRF7424TRPBF за ціною від 24.03 грн до 105.57 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF7424TRPBF IRF7424TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0005253087-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7424TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11 A, 0.0135 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 28326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+85.83 грн
14+59.83 грн
100+40.11 грн
500+29.66 грн
1000+27.31 грн
5000+27.23 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7424TRPBF IRF7424TRPBF
Код товару: 54104
Додати до обраних Обраний товар

irf7424pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355fb0dab1bd8 Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7424TRPBF IRF7424TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7424.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 11A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+24.89 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7424TRPBF IRF7424TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7424pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355fb0dab1bd8 Description: MOSFET P-CH 30V 11A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4030 pF @ 25 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+28.65 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7424TRPBF IRF7424TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7424.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 11A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+30.91 грн
8000+24.03 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7424TRPBF IRF7424TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7424.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 11A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+32.12 грн
8000+24.96 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7424TRPBF IRF7424TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0005253087-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7424TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11 A, 0.0135 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 28326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+40.11 грн
500+29.66 грн
1000+27.31 грн
5000+27.23 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7424TRPBF IRF7424TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7424pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355fb0dab1bd8 Description: MOSFET P-CH 30V 11A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4030 pF @ 25 V
на замовлення 5260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+92.31 грн
10+60.77 грн
100+45.05 грн
500+33.41 грн
1000+30.46 грн
2000+27.98 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7424TRPBF IRF7424TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7424.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 11A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
125+97.61 грн
Мінімальне замовлення: 125
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7424TRPBF IRF7424TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF7424_DataSheet_v01_01_EN-3363230.pdf MOSFETs MOSFT PCh -30V -11A 13.5mOhm 75nC
на замовлення 7414 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+105.57 грн
10+69.04 грн
100+44.44 грн
500+39.36 грн
1000+35.02 грн
2000+32.59 грн
4000+29.65 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7424TRPBF IRF7424TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7424.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 11A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7424TRPBF IRF7424TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7424.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 11A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7424TRPBF Виробник : International Rectifier Corporation irf7424pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355fb0dab1bd8 MOSFET P-CH 30V 11A 8-SOIC
на замовлення 180 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7424TRPBF IRF7424TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7424.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 11A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7424TRPBF IRF7424TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf7424pbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -11A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -11A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7424TRPBF IRF7424TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf7424pbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -11A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -11A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.