IRF7424TRPBF
Код товару: 54104
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник:
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRF7424TRPBF за ціною від 28.88 грн до 110.07 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF7424TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 11A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF7424TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 11A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF7424TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 30V 11A 8SOPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4030 pF @ 25 V |
на замовлення 311 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF7424TRPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT PCh -30V -11A 13.5mOhm 75nC |
на замовлення 124 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
IRF7424TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7424TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11 A, 0.0135 ohm, SOIC, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 2.5W SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm |
на замовлення 2034 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
IRF7424TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7424TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11 A, 0.0135 ohm, SOIC, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 2.5W SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm |
на замовлення 2034 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7424TRPBF | International Rectifier |
MOSFET P-CH 30V 11A 8-SOIC Транзистори |
на замовлення 174 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
|
| IRF7424TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 30V 11A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET P-CH Si 30V 11A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 104.34 грн |
| 11+ | 70.10 грн |
| 100+ | 55.69 грн |
| 500+ | 45.06 грн |
| 1000+ | 36.62 грн |
| 2000+ | 34.99 грн |
| 4000+ | 28.88 грн |
| IRF7424TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 30V 11A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET P-CH Si 30V 11A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 135+ | 104.34 грн |
| 201+ | 70.10 грн |
| 253+ | 55.69 грн |
| 500+ | 45.06 грн |
| 1000+ | 36.62 грн |
| 2000+ | 34.99 грн |
| 4000+ | 28.88 грн |
| IRF7424TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 30V 11A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4030 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 30V 11A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4030 pF @ 25 V
на замовлення 311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 110.07 грн |
| 10+ | 67.01 грн |
| 100+ | 44.62 грн |
| IRF7424TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT PCh -30V -11A 13.5mOhm 75nC
MOSFETs MOSFT PCh -30V -11A 13.5mOhm 75nC
на замовлення 124 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IRF7424TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7424TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11 A, 0.0135 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm
Description: INFINEON - IRF7424TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11 A, 0.0135 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm
на замовлення 2034 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRF7424TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7424TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11 A, 0.0135 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm
Description: INFINEON - IRF7424TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11 A, 0.0135 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm
на замовлення 2034 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRF7424TRPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
MOSFET P-CH 30V 11A 8-SOIC Транзистори
MOSFET P-CH 30V 11A 8-SOIC Транзистори
на замовлення 174 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 55.61 грн |
З цим товаром купують
| Силіконовий провід 24AWG (0.2mm²-40/0.08TS) чорний Код товару: 181950
6
Додати до обраних
Обраний товар
|
Кабель, провід, шлейф, мережеві шнури > Провода монтажні
Група: Провід монтажний
Переріз, мм²: 0,2 мм²
К-сть жил: багатожильний
Матеріал жил: лужена мідь
Ізоляція (матеріал): силікон
Колір: чорний
Опис: Провід багатожильний, матеріал оболонки: силікон, стійкий до більшості хімічних сполук. Номінальна напруга: U₀/U:300/500V, зовнішній діаметр:~1,6мм, робоча температура: -50...200°C.
Група: Провід монтажний
Переріз, мм²: 0,2 мм²
К-сть жил: багатожильний
Матеріал жил: лужена мідь
Ізоляція (матеріал): силікон
Колір: чорний
Опис: Провід багатожильний, матеріал оболонки: силікон, стійкий до більшості хімічних сполук. Номінальна напруга: U₀/U:300/500V, зовнішній діаметр:~1,6мм, робоча температура: -50...200°C.
товару немає в наявності
очікується: 70000 м
- 50000 м - очікується 02.09.2026
- 20000 м - очікується 29.09.2026
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 9.50 грн |
| 10+ | 8.70 грн |
| 100+ | 7.82 грн |
| 1000+ | 7.38 грн |
| Силіконовий провід 24AWG (0.2mm²-40/0.08TS) червоний Код товару: 181949
7
Додати до обраних
Обраний товар
|
Кабель, провід, шлейф, мережеві шнури > Провода монтажні
Група: Провід монтажний
Переріз, мм²: 0,2 мм²
К-сть жил: багатожильний
Матеріал жил: лужена мідь
Ізоляція (матеріал): силікон
Колір: червоний
Опис: Провід багатожильний, матеріал оболонки: силікон, стійкий до більшості хімічних сполук. Номінальна напруга: U₀/U:300/500V, зовнішній діаметр:~1,6мм, робоча температура: -50...200°C.
Група: Провід монтажний
Переріз, мм²: 0,2 мм²
К-сть жил: багатожильний
Матеріал жил: лужена мідь
Ізоляція (матеріал): силікон
Колір: червоний
Опис: Провід багатожильний, матеріал оболонки: силікон, стійкий до більшості хімічних сполук. Номінальна напруга: U₀/U:300/500V, зовнішній діаметр:~1,6мм, робоча температура: -50...200°C.
товару немає в наявності
очікується: 70000 м
- 50000 м - очікується 02.09.2026
- 20000 м - очікується 29.09.2026
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 9.50 грн |
| 10+ | 8.70 грн |
| 100+ | 7.82 грн |
| 1000+ | 7.38 грн |
| 2, 2uF 25V Y5V -20/+ 80% 0805 3k/reel (C0805Y225Z250N3-Hitano) (конденсатор керамічний SMD) Код товару: 50750
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Керамічні SMD конденсатори > 0805
Ємність: 2,2 мкФ
Номін. напруга: 25 В
Діелектрик: Y5V
Точність: -20/+80% Z
Типорозмір: 0805
УКТЗЕД: 8532 24 00 00
Керамічні SMD конденсатори > 0805
Ємність: 2,2 мкФ
Номін. напруга: 25 В
Діелектрик: Y5V
Точність: -20/+80% Z
Типорозмір: 0805
УКТЗЕД: 8532 24 00 00
у наявності: 422 шт
- 422 шт - склад
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 1.40 грн |
| 100+ | 1.10 грн |
| 1000+ | 0.80 грн |
| ATtiny13A-SU Код товару: 22516
4
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Atmel
Мікросхеми > Мікроконтролери
Тип корпуса: SOIC-8 EIAJ
Короткий опис: 8-bit мікроконтролер з 1K байт внутрішньосистемно програмована Flash
Живлення, В: 1,8...5,5 В
Тип ядра: AVR
Розрядність: 8-розрядний
Частота: 20 МГц
Робоча температура, °С: -40...+85°С
УКТЗЕД: 8542 31 90 00
Мікросхеми > Мікроконтролери
Тип корпуса: SOIC-8 EIAJ
Короткий опис: 8-bit мікроконтролер з 1K байт внутрішньосистемно програмована Flash
Живлення, В: 1,8...5,5 В
Тип ядра: AVR
Розрядність: 8-розрядний
Частота: 20 МГц
Робоча температура, °С: -40...+85°С
УКТЗЕД: 8542 31 90 00
у наявності: 721 шт
- 702 шт - склад
- 10 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 9 шт - РАДІОМАГ-Львів
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 65.00 грн |
| 10+ | 58.50 грн |
| 100+ | 54.40 грн |













