IRF7425PBF
Код товару: 20322
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: IR
Корпус: SO-8
Uds,V: 20 V
Id,A: 15 A
Rds(on),Om: 0,0082 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 7980/87
Монтаж: SMD
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRF7425PBF за ціною від 90.60 грн до 105.71 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRF7425PBF | Виробник : International Rectifier/Infineon |
P-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 15 А, Ptot, Вт = 2,5, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 7980 @ 15, Qg, нКл = 130 @ 4,5 В, Rds = 8,2 мОм @ 15 A, 4,5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1,2 В @ 250 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: SOICN-8 Од кількість в упаковці: 95 шт |
на замовлення 33 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||
| IRF7425PBF |
IRF7425PBF Транзисторы HEXFET |
на замовлення 10 шт: термін постачання 4 дні (днів) |
|||||||||
| IRF7425PBF | Виробник : International Rectifier |
Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||||||||
 |
IRF7425PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 20V 15A 8SO Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 15A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7980 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |
|||||||
 |
IRF7425PBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET 20V 1 P-CH HEXFET 8.2mOhms 87nC |
товару немає в наявності |
|||||||
 |
IRF7425PBF | Виробник : Infineon (IRF) |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -15A; 2.5W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -15A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement On-state resistance: 8.2mΩ Gate charge: 87nC Gate-source voltage: ±12V |
товару немає в наявності |