Продукція > INTERNATIONAL RECTIFIER/INFINEON > IRF7425PBF

IRF7425PBF International Rectifier/Infineon

irf7425pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355fb1c361bdc Виробник: International Rectifier/Infineon
P-канальний ПТ; Udss, В = 20; Id = 15 А; Ptot, Вт = 2,5; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 7980 @ 15; Qg, нКл = 130 @ 4,5 В; Rds = 8,2 мОм @ 15 A, 4,5 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 1,2 В @ 250 мкА; SOICN-8
на замовлення 33 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
Кількість Ціна
7+97.05 грн
10+90.57 грн
100+84.10 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF7425PBF International Rectifier/Infineon

Description: MOSFET P-CH 20V 15A 8SO, Packaging: Tube, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 15A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SO, Part Status: Discontinued at Digi-Key, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7980 pF @ 15 V.

Інші пропозиції IRF7425PBF за ціною від 27.90 грн до 35.00 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF7425PBF irf7425pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355fb1c361bdc IRF7425PBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 10 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7425PBF IRF7425PBF
Код товару: 20322
Додати до обраних Обраний товар

Виробник : IR IRF7425PBF.pdf Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 20 V
Id,A: 15 A
Rds(on),Om: 0,0082 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 7980/87
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+35.00 грн
10+31.50 грн
100+27.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7425PBF IRF7425PBF Виробник : Infineon Technologies irf7425pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355fb1c361bdc Description: MOSFET P-CH 20V 15A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7980 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7425PBF IRF7425PBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF7425_DataSheet_v01_01_EN-1732538.pdf MOSFET 20V 1 P-CH HEXFET 8.2mOhms 87nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7425PBF IRF7425PBF Виробник : Infineon (IRF) irf7425pbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -15A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -15A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 87nC
On-state resistance: 8.2mΩ
Gate-source voltage: ±12V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.