IRF7425PBF International Rectifier/Infineon
Виробник: International Rectifier/InfineonP-канальний ПТ; Udss, В = 20; Id = 15 А; Ptot, Вт = 2,5; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 7980 @ 15; Qg, нКл = 130 @ 4,5 В; Rds = 8,2 мОм @ 15 A, 4,5 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 1,2 В @ 250 мкА; SOICN-8
на замовлення 33 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF7425PBF International Rectifier/Infineon
Description: MOSFET P-CH 20V 15A 8SO, Packaging: Tube, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 15A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SO, Part Status: Discontinued at Digi-Key, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7980 pF @ 15 V.
Інші пропозиції IRF7425PBF за ціною від 27.90 грн до 35.00 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRF7425PBF |
IRF7425PBF Транзисторы HEXFET |
на замовлення 10 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|||||||||||
 |
IRF7425PBF Код товару: 20322
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : IR |
Транзистори > Польові P-канальні Корпус: SO-8 Uds,V: 20 V Id,A: 15 A Rds(on),Om: 0,0082 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 7980/87 Монтаж: SMD |
товару немає в наявності
|
|
||||||||
 |
IRF7425PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 20V 15A 8SO Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 15A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7980 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
IRF7425PBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET 20V 1 P-CH HEXFET 8.2mOhms 87nC |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
IRF7425PBF | Виробник : Infineon (IRF) |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -15A; 2.5W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -15A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate charge: 87nC On-state resistance: 8.2mΩ Gate-source voltage: ±12V |
товару немає в наявності |