Продукція > Транзистори > Польові P-канальні > IRF7425TRPBF

IRF7425TRPBF

irf7425pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355fb1c361bdc
Код товару: 172358
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові P-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRF7425TRPBF за ціною від 38.14 грн до 136.05 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRF7425TRPBF IRF7425TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7425pbf.pdf irf7425pbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -15A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -15A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 590 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+67.86 грн
10+47.26 грн
25+41.46 грн
50+38.14 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7425TRPBF IRF7425TRPBF Infineon Technologies infineonirf7425datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 20V 15A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+136.05 грн
10+93.43 грн
100+65.69 грн
500+51.00 грн
1000+43.43 грн
2000+39.07 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7425TRPBF IRF7425TRPBF Infineon Technologies infineonirf7425datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 20V 15A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 3725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
104+136.05 грн
152+93.43 грн
216+65.69 грн
500+51.00 грн
1000+43.43 грн
2000+39.07 грн
Мінімальне замовлення: 104 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7425TRPBF IRF7425TRPBF Infineon Technologies Infineon-IRF7425-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs MOSFT PCh -20V -15A 8.2mOhm 87nC
на замовлення 302 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7425TRPBF IRF7425TRPBF INFINEON INFN-S-A0012837775-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7425TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 15 A, 8200 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8200µohm
на замовлення 867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7425TRPBF IRF7425TRPBF Infineon Technologies infineonirf7425datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 20V 15A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 51 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7425TRPBF IRF7425TRPBF INFINEON INFN-S-A0012837775-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7425TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 15 A, 8200 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8200µohm
на замовлення 867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7425TRPBF irf7425pbf.pdf irf7425pbf.pdf
IRF7425TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -15A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -15A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 590 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+67.86 грн
10+47.26 грн
25+41.46 грн
50+38.14 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7425TRPBF infineonirf7425datasheetv0101en.pdf
IRF7425TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 20V 15A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+136.05 грн
10+93.43 грн
100+65.69 грн
500+51.00 грн
1000+43.43 грн
2000+39.07 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7425TRPBF infineonirf7425datasheetv0101en.pdf
IRF7425TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 20V 15A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 3725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
104+136.05 грн
152+93.43 грн
216+65.69 грн
500+51.00 грн
1000+43.43 грн
2000+39.07 грн
Мінімальне замовлення: 104 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7425TRPBF Infineon-IRF7425-DataSheet-v01_01-EN.pdf
IRF7425TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT PCh -20V -15A 8.2mOhm 87nC
на замовлення 302 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7425TRPBF INFN-S-A0012837775-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7425TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7425TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 15 A, 8200 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8200µohm
на замовлення 867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7425TRPBF infineonirf7425datasheetv0101en.pdf
IRF7425TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 20V 15A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 51 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7425TRPBF INFN-S-A0012837775-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7425TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7425TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 15 A, 8200 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8200µohm
на замовлення 867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.