 
IRF7425TRPBF Infineon Technologies
 Виробник: Infineon Technologies
                                                Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 20V 15A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7980 pF @ 15 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 4000+ | 31.14 грн | 
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF7425TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF7425TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 15 A, 8200 µohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 15A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8200µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025). 
Інші пропозиції IRF7425TRPBF за ціною від 27.89 грн до 111.37 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|   | IRF7425TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |  Trans MOSFET P-CH Si 20V 15A 8-Pin SOIC T/R | на замовлення 2498 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | IRF7425TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |  Trans MOSFET P-CH Si 20V 15A 8-Pin SOIC T/R | на замовлення 23000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | IRF7425TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |  Trans MOSFET P-CH Si 20V 15A 8-Pin SOIC T/R | на замовлення 152000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | IRF7425TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |  Trans MOSFET P-CH Si 20V 15A 8-Pin SOIC T/R | на замовлення 152000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | IRF7425TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |  Trans MOSFET P-CH Si 20V 15A 8-Pin SOIC T/R | на замовлення 500 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | IRF7425TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |  Trans MOSFET P-CH Si 20V 15A 8-Pin SOIC T/R | на замовлення 500 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | IRF7425TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |  Trans MOSFET P-CH Si 20V 15A 8-Pin SOIC T/R | на замовлення 650 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | IRF7425TRPBF | Виробник : INFINEON |  Description: INFINEON - IRF7425TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 15 A, 8200 µohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8200µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 832 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | IRF7425TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |    Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -15A; 2.5W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -15A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement | на замовлення 899 шт:термін постачання 21-30 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | IRF7425TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |    Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -15A; 2.5W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -15A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 899 шт:термін постачання 14-21 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
| IRF7425TRPBF Код товару: 172358 
            
                            Додати до обраних
                Обраний товар
                 |  Транзистори > Польові P-канальні | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
|   | IRF7425TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |  Description: MOSFET P-CH 20V 15A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 15A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7980 pF @ 15 V | на замовлення 6037 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | IRF7425TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |  MOSFETs MOSFT PCh -20V -15A 8.2mOhm 87nC | на замовлення 302 шт:термін постачання 21-30 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | IRF7425TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |  Trans MOSFET P-CH Si 20V 15A 8-Pin SOIC T/R | на замовлення 650 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | IRF7425TRPBF | Виробник : INFINEON |  Description: INFINEON - IRF7425TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 15 A, 8200 µohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8200µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 832 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | IRF7425TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |  Trans MOSFET P-CH Si 20V 15A 8-Pin SOIC T/R | товару немає в наявності |