Інші пропозиції IRF7425TRPBF за ціною від 25.62 грн до 129.74 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF7425TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET P-CH Si 20V 15A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 88000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF7425TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 20V 15A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 88000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF7425TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 20V 15A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF7425TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 20V 15A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF7425TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7425TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 15 A, 8200 µohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8200µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1272 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF7425TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -15A; 2.5W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -15A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement |
на замовлення 4514 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF7425TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT PCh -20V -15A 8.2mOhm 87nC |
на замовлення 302 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF7425TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 20V 15A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 27725 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF7425TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 20V 15A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 15A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7980 pF @ 15 V |
на замовлення 3133 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF7425TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7425TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 15 A, 8200 µohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8200µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1272 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF7425TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 20V 15A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 15A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7980 pF @ 15 V |
на замовлення 2900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| IRF7425TRPBF | Виробник : Infineon |
SO-8 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| IRF7425TRPBF | Виробник : International Rectifier/Infineon |
P-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 15, Ciss, пФ @ Uds, В = 7980 @ 15, Qg, нКл = 130, Rds = 8,2 мОм, Ugs(th) = 1.2 В @ 250мкА, Тексп, °C = -55...+150,... Група товару: Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт кількість в упаковці: 95 шт |
товару немає в наявності |