IRF7425TRPBF Infineon Technologies
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
500+ | 26.99 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF7425TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF7425TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 15 A, 0.0082 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 15A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0082ohm.
Інші пропозиції IRF7425TRPBF за ціною від 29.66 грн до 123.22 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRF7425TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 20V 15A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
IRF7425TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 20V 15A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
IRF7425TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 20V 15A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
IRF7425TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 20V 15A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
IRF7425TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 20V 15A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
IRF7425TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 20V 15A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 15A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7980 pF @ 15 V |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
IRF7425TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 20V 15A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
IRF7425TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 20V 15A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
IRF7425TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -15A; 2.5W; SO8 Kind of package: reel Drain-source voltage: -20V Drain current: -15A Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 2.5W Polarisation: unipolar Technology: HEXFET® Kind of channel: enhanced Mounting: SMD Case: SO8 |
на замовлення 2834 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
IRF7425TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7425TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 15 A, 0.0082 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0082ohm |
на замовлення 4537 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
IRF7425TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -15A; 2.5W; SO8 Kind of package: reel Drain-source voltage: -20V Drain current: -15A Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 2.5W Polarisation: unipolar Technology: HEXFET® Kind of channel: enhanced Mounting: SMD Case: SO8 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2834 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
IRF7425TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 20V 15A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 1721 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
IRF7425TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7425TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 15 A, 0.0082 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0082ohm |
на замовлення 4537 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
IRF7425TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 20V 15A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 15A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7980 pF @ 15 V |
на замовлення 4807 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
IRF7425TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 20V 15A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 1721 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
IRF7425TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | MOSFET MOSFT PCh -20V -15A 8.2mOhm 87nC |
на замовлення 24865 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
IRF7425TRPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 20V 15A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 27743 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
IRF7425TRPBF Код товару: 172358 |
Транзистори > Польові P-канальні |
товар відсутній
|