IRF7425TRPBF Infineon Technologies
на замовлення 2498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 32.33 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF7425TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF7425TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 15 A, 8200 µohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 15A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8200µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRF7425TRPBF за ціною від 29.21 грн до 125.03 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRF7425TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET P-CH Si 20V 15A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 23000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF7425TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 20V 15A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 152000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF7425TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 20V 15A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 152000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF7425TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7425TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 15 A, 8200 µohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8200µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 722 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF7425TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 20V 15A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF7425TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 20V 15A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 27725 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF7425TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT PCh -20V -15A 8.2mOhm 87nC |
на замовлення 302 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF7425TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7425TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 15 A, 8200 µohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8200µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 722 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF7425TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 20V 15A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 15A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7980 pF @ 15 V |
на замовлення 3133 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF7425TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 20V 15A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF7425TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 20V 15A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 15A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7980 pF @ 15 V |
на замовлення 2900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| IRF7425TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
IRF7425TRPBF SMD P channel transistors |
на замовлення 844 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
IRF7425TRPBF Код товару: 172358
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові P-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||
|
|
IRF7425TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 20V 15A 8-Pin SOIC N T/R |
товару немає в наявності |