IRF7433PBF
Код товару: 172872
Виробник: IRКорпус: SO-8
Uds,V: 12 V
Id,A: 8,9 A
Rds(on),Om: 24 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1877/20
Примітка : Ultra Low On-Resistance
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 50.00 грн |
| 10+ | 25.20 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF7433PBF IR
- MOSFET, P, SO-8
- Transistor Polarity:P
- Max Current Id:-8.9A
- Max Voltage Vds:12V
- On State Resistance:0.024ohm
- Rds Measurement Voltage:-4.5V
- Max Voltage Vgs:-8V
- Power Dissipation:2.5W
- Operating Temperature Range:-55`C to +150`C
- Transistor Case Style:SOIC
- No. of Pins:8
- SVHC:No SVHC
- Case Style:SOIC
- Cont Current Id:8.7A
- Current Temperature:25`C
- External Depth:5.2mm
- External Length / Height:1.75mm
- External Width:4.05mm
- Full Power Rating Temperature:25`C
- Power Dissipation Pd:2.5W
- Pulse Current Idm:36A
- SMD Marking:F7433
- Termination Type:SMD
- Transistor Type:MOSFET
- Typ Voltage Vds:-12V
- Typ Voltage Vgs th:-0.9V
- Voltage Vgs Rds on Measurement:-4.5V
Можливі заміни IRF7433PBF IR
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF7433TRPBF Код товару: 190632
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : VBSEMI |
Транзистори > Польові P-канальніКорпус: SO-8 Uds,V: 12 V Id,A: 8,9 A Rds(on),Om: 24 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 1877/20 Монтаж: SMD |
у наявності: 83 шт
33 шт - склад
20 шт - РАДІОМАГ-Київ 10 шт - РАДІОМАГ-Харків 20 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
Інші пропозиції IRF7433PBF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRF7433PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 12V 8.9A 8-Pin SOIC T/R |
товару немає в наявності |
|
|
IRF7433PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 12V 8.9A 8SOPackaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 8.7A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1877 pF @ 10 V |
товару немає в наявності |
|
|
IRF7433PBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET 1 P-CH -12V HEXFET 24mOhms 20nC |
товару немає в наявності |

