Продукція > IOR > IRF7450TRPBF

IRF7450TRPBF IOR


IRF7450PbF.pdf Виробник: IOR

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF7450TRPBF IOR

Description: MOSFET N-CH 200V 2.5A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SO, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRF7450TRPBF

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRF7450TRPBF Виробник : IR IRF7450PbF.pdf
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF7450TRPBF Виробник : IR IRF7450PbF.pdf 0848+ SOP8
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF7450TRPBF Виробник : IR IRF7450PbF.pdf SOP8 0809+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF7450TRPBF Виробник : IR IRF7450PbF.pdf SOP8 0817+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF7450TRPBF IRF7450TRPBF Виробник : Infineon Technologies IRF7450PbF.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 2.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF7450TRPBF IRF7450TRPBF Виробник : Infineon Technologies IRF7450PbF.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 2.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF7450TRPBF IRF7450TRPBF Виробник : Infineon / IR irf7450pbf-1227979.pdf MOSFET MOSFT 200V 2.5A 170mOhm 26nC
товар відсутній