Технічний опис IRF7451TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF7451TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 3.6 A, 0.09 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V, Verlustleistung: 2.5W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm.
Інші пропозиції IRF7451TRPBF за ціною від 30.64 грн до 138.55 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF7451TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 3.6A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 56000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF7451TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 3.6A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF7451TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 3.6A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 1281 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF7451TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 3.6A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 3485 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF7451TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 3.6A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 1281 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF7451TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 150V 3.6A 8SOPackaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-SO Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.2A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
на замовлення 4273 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF7451TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7451TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 3.6 A, 0.09 ohm, SOIC, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V Verlustleistung: 2.5W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm |
на замовлення 3221 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
IRF7451TRPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 150V 3.6A 90mOhm 28nC |
на замовлення 6130 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
IRF7451TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7451TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 3.6 A, 0.09 ohm, SOIC, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V Verlustleistung: 2.5W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm |
на замовлення 3221 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
IRF7451TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 150V 3.6A 8SOInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-SO Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.2A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 1900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 1900 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF7451TRPBF | International Rectifier HiRel Products |
Trans MOSFET N-CH 150V 3.6A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 3680 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| IRF7451TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 3.6A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 3.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 56000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 50.83 грн |
| 32000+ | 46.45 грн |
| 48000+ | 43.21 грн |
| IRF7451TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 3.6A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 3.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 52.56 грн |
| IRF7451TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 3.6A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 3.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 207+ | 68.18 грн |
| 209+ | 67.49 грн |
| 270+ | 52.16 грн |
| 271+ | 50.03 грн |
| 500+ | 42.69 грн |
| 1000+ | 30.64 грн |
| IRF7451TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 3.6A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 3.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 167+ | 84.39 грн |
| 207+ | 68.00 грн |
| 209+ | 67.34 грн |
| 500+ | 49.22 грн |
| IRF7451TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 3.6A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 3.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 84.57 грн |
| 11+ | 68.18 грн |
| 25+ | 67.49 грн |
| 100+ | 50.30 грн |
| 250+ | 46.32 грн |
| 500+ | 40.98 грн |
| 1000+ | 30.64 грн |
| IRF7451TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 3.6A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Description: MOSFET N-CH 150V 3.6A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
на замовлення 4273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 138.55 грн |
| 10+ | 84.43 грн |
| 100+ | 56.52 грн |
| 500+ | 41.80 грн |
| 1000+ | 38.18 грн |
| 2000+ | 35.13 грн |
| IRF7451TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7451TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 3.6 A, 0.09 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
Description: INFINEON - IRF7451TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 3.6 A, 0.09 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
на замовлення 3221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRF7451TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 150V 3.6A 90mOhm 28nC
MOSFETs MOSFT 150V 3.6A 90mOhm 28nC
на замовлення 6130 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IRF7451TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7451TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 3.6 A, 0.09 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
Description: INFINEON - IRF7451TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 3.6 A, 0.09 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
на замовлення 3221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRF7451TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 3.6A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: MOSFET N-CH 150V 3.6A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRF7451TRPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier HiRel Products
Trans MOSFET N-CH 150V 3.6A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 3.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 596+ | 58.95 грн |
| 1000+ | 54.37 грн |






