Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF7451TRPBF
IRF7451TRPBF

IRF7451TRPBF Infineon Technologies

IRSDS17406-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 3.6A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990 pF @ 25 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+34.60 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF7451TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF7451TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 3.6 A, 0.09 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції IRF7451TRPBF за ціною від 30.70 грн до 119.87 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF7451TRPBF IRF7451TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7451-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 3.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
319+38.22 грн
320+38.14 грн
327+37.33 грн
Мінімальне замовлення: 319
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7451TRPBF IRF7451TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7451-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 3.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+39.82 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7451TRPBF IRF7451TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7451-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 3.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+41.88 грн
25+30.70 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7451TRPBF IRF7451TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0002303454-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7451TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 3.6 A, 0.09 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+48.00 грн
500+39.37 грн
1000+33.31 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7451TRPBF IRF7451TRPBF Виробник : Infineon Technologies IRSDS17406-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 150V 3.6A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990 pF @ 25 V
на замовлення 8333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+60.34 грн
10+56.95 грн
100+40.89 грн
500+36.83 грн
1000+35.45 грн
2000+33.48 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7451TRPBF IRF7451TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0002303454-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7451TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 3.6 A, 0.09 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+101.27 грн
12+70.47 грн
100+48.00 грн
500+39.37 грн
1000+33.31 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7451TRPBF IRF7451TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF7451_DataSheet_v01_01_EN-3363114.pdf MOSFETs MOSFT 150V 3.6A 90mOhm 28nC
на замовлення 3655 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+119.87 грн
10+78.74 грн
100+47.26 грн
500+42.05 грн
1000+37.80 грн
2000+35.08 грн
4000+33.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7451TRPBF IRF7451TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7451-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 3.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7451TRPBF IRF7451TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7451pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 3.6A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7451TRPBF IRF7451TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7451-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 3.6A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7451TRPBF IRF7451TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf7451pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 3.6A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 3.6A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7451TRPBF IRF7451TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf7451pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 3.6A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 3.6A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.