IRF7456TRPBF Infineon Technologies
на замовлення 2392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 148+ | 82.73 грн |
| 155+ | 79.03 грн |
| 250+ | 75.86 грн |
| 500+ | 70.51 грн |
| 1000+ | 63.16 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF7456TRPBF Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 20V 16A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 16A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SO, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3640 pF @ 15 V.
Інші пропозиції IRF7456TRPBF за ціною від 72.17 грн до 145.91 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF7456TRPBF | Виробник : Infineon / IR |
 MOSFET MOSFT 20V 16A 6.5mOhm 41nC |
на замовлення 3300 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRF7456TRPBF Код товару: 176316
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||
 |
IRF7456TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 20V 16A 8-Pin SOIC T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
IRF7456TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 16A; 2.5W; SO8 Case: SO8 Drain-source voltage: 20V Drain current: 16A Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 2.5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement Mounting: SMD кількість в упаковці: 4000 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
IRF7456TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 20V 16A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3640 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
IRF7456TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 20V 16A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3640 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
IRF7456TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 16A; 2.5W; SO8 Case: SO8 Drain-source voltage: 20V Drain current: 16A Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 2.5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement Mounting: SMD |
товару немає в наявності |