
IRF7457TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 16A; 2.5W; SO8
Case: SO8
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 16A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF7457TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 16A; 2.5W; SO8, Case: SO8, Drain-source voltage: 20V, Drain current: 16A, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 2.5W, Polarisation: unipolar, Kind of package: reel, Technology: HEXFET®, Kind of channel: enhancement, Mounting: SMD, кількість в упаковці: 4000 шт.
Інші пропозиції IRF7457TRPBF
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRF7457TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
IRF7457TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
IRF7457TRPBF | Виробник : Infineon / IR |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
IRF7457TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 16A; 2.5W; SO8 Case: SO8 Drain-source voltage: 20V Drain current: 16A Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 2.5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement Mounting: SMD |
товару немає в наявності |