
IRF7457TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 16A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 16A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF7457TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 16A; 2.5W; SO8, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: HEXFET®, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 20V, Drain current: 16A, Power dissipation: 2.5W, Case: SO8, Mounting: SMD, Kind of package: reel, Kind of channel: enhancement, кількість в упаковці: 4000 шт.
Інші пропозиції IRF7457TRPBF
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRF7457TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
IRF7457TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
IRF7457TRPBF | Виробник : Infineon / IR |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
IRF7457TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 16A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 16A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |