IRF7458PBF Infineon / IR


irf7458pbf-1227122.pdf
Виробник: Infineon / IR
MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 9mOhms 39nC
на замовлення 1640 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF7458PBF Infineon / IR

Description: MOSFET N-CH 30V 14A 8SO, Packaging: Tube, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 14A, 16V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SO, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 16V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 15 V.

Інші пропозиції IRF7458PBF

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IRF7458PBF IR irf7458pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355fecb231bfe
на замовлення 7905 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7458PBF irf7458pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355fecb231bfe
Виробник: IR
на замовлення 7905 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.