IRF7458TRPBF Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 14A, 16V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 16V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 15 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4000+ | 39.28 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF7458TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF7458TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14 A, 8000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 14A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 16V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції IRF7458TRPBF за ціною від 36.78 грн до 169.53 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF7458TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF7458TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF7458TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7458TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14 A, 8000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 16V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3144 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF7458TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 116 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF7458TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 14A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 14A, 16V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 16V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 15 V |
на замовлення 4050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRF7458TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs IR MOSFET 30 V in a SO-8 package |
на замовлення 1880 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF7458TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7458TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14 A, 8000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 16V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3144 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRF7458TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 116 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
IRF7458TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin SOIC T/R |
товару немає в наявності |