Продукція > IOR > IRF7459TRPBF

IRF7459TRPBF IOR

Виробник: IOR

на замовлення 50000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IRF7459TRPBF IOR

Description: MOSFET N-CH 20V 12A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 12A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SO, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2480 pF @ 10 V.

Інші пропозиції IRF7459TRPBF

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
IRF7459TRPBF	Виробник : IR		на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.
IRF7459TRPBF	Виробник : IR	SOP8 07+08+	на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.
IRF7459TRPBF	Виробник : Infineon Technologies	Trans MOSFET N-CH 20V 12A 8-Pin SOIC T/R	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IRF7459TRPBF	Виробник : Infineon Technologies	Description: MOSFET N-CH 20V 12A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2480 pF @ 10 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IRF7459TRPBF	Виробник : Infineon Technologies	Description: MOSFET N-CH 20V 12A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2480 pF @ 10 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.