Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF7465TRPBFXTMA1

IRF7465TRPBFXTMA1 Infineon Technologies

irf7465.pdf

Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 1.9A 8-Pin SO T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IRF7465TRPBFXTMA1 Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 150V 1.9A 8-Pin SO T/R.

Інші пропозиції IRF7465TRPBFXTMA1

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
	IRF7465TRPBFXTMA1	Виробник : Infineon Technologies	IRF7465TRPBFXTMA1	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
	IRF7465TRPBFXTMA1	Виробник : Infineon Technologies	Description: PLANAR 40<-<100V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 1.14A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
	IRF7465TRPBFXTMA1	Виробник : Infineon Technologies	MOSFETs PLANAR 40<-<100V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.